【模拟电子技术】13-H参数等效模型

【模拟电子技术】13-H参数等效模型

我们已经知道在不同的静态工作点下，即使给三极管相同的的Ib，得到的Ic也会不同，引出H参数等效模型

在第07节中有一张这样的图

我们可以看出IB与UBE和UCE都有关，注意这里的真正的物理原因，UCE大到一定程度时候，从发射极到集电极的电子会饱和，是这种原因导致IB大到一定程度就不会再增加了。（希望都还记得）

同样，IC也与UCE和IB相关，因此可以列出方程

\[\begin{cases}u_{BE}=f\left(i_{B},u_{CE}\right).\\i_{c}=f\left(i_{B},u_{CE}\right)\end{cases} \]

研究delta量之间的关系，微分表示delta是一个好方法，求全微分

微分用delta代替，得到混合参数模型以及电路等效模型

究其各参数含义，h11为Rbe,h12为Ib一定时，UBE随UCE的变化量，h21为放大系数β，h22为Ib一定时，ic随UCE的变化量

h12和h22影响较小，得到简化h参数模型

接下来注意，我们需要回顾一下PN结等效电阻部分的知识，PN结等效电阻为

图中的rb'e'就是PN结的等效电阻，re'阻值很小，因为发射极电子多，rbb'在手册可以得知。参照（a）图中电路就可以推出

其中第二行的式子可以准确表达出物理意义：rbe与发射极电阻，等效模型的（1+β）都有关