ROM

Read Only Memory

掉电信息不丢失

MROM

Mask ROM
掩模ROM：根据存储信息的二进制代码，设计相应的光刻掩模，以半导体的有无记录信息。

• 选中(0,0)单元时，行列交叉处有MOS管，该管导通使列线接地，读放大器反相输出1
• 选中(31,0)单元时，行列交叉处无MOS管，列线没有接地输出高电平，读放大器反相输出0

特点

存储信息固定不变，不可改写

适用场合

字符点阵存储器

微程序控制器

PROM

Programmable ROM
可编程的ROM芯片在出厂时内容全为0，用户可以通过专用的写入器将其信息自行写入。
可分为：

• 结破坏型
• 熔丝型

特点

已断的熔丝是无法恢复的写入操作不可逆，用户只能写一次不能重写

适用场合

可编程逻辑阵列Programmable Logic Array

PLA广泛应用于数字系统和VLSI芯片设计。主板芯片组的集成采用了VLSI技术

EPROM

Erasable Programmable Read-Only Memory
可擦除可编程ROM：

EPROM在出厂时浮动栅无电子，所有位线输出均为1

• 写入0：
  D端加25V高压，外加编程脉冲（宽50ms），被选中的单元被注入电子，EPROM管导通

• 擦除：
  通过芯片封装上方的石英玻璃窗，将紫外线照射进入芯片。紫外线照射浮动栅，使电荷泄露。

特点

需要专门的写入器，擦写器

只能芯片级擦除（全部信息一次性擦除）

因为氧化层损耗的原因，EPROM通常能重写10万次

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory
电擦除型可编程ROM：采用了更方便的高电压擦除数据的方式

对比EPROM，EEPROM可只对特定存储单元加高压形成电子隧道擦除其数据，其他单元数据保持不变

特点

需要专门的写入器，擦写器

既能芯片级擦除，也可实现比特级擦除

EPROM和EEPROM对比

• EPROM为单管结构，EEPROM为双管结构
• EEPROM的栅极氧化层比EPROM薄

FLASH

Flash Memory
闪存：沿用了EPROM的单管结构和浮栅 / 热电子注入写入方式，兼备EEPROM的比特级电擦除特性
工作原理

特点

在计算机内实现擦写，不需要专用擦写器

同时具备芯片级和比特级数据擦除方式

功耗低，存储密度高

适用场合

U盘

SSD

闪存也存在损坏的问题，通常是通过禁用已损坏的单元，缩小可用空间的方法来解决

ROM芯片和RAM芯片对比

• ROM没有WE*信号
• ROM增加了高压输入引脚和编程脉冲两个写入信号（用于专用写入器）