USB2.0的EMI注意事项

目录

在使用CH585/CH587系列芯片时，若产品设计没注意，在过classB的3m-EMI认证时会遇到困难。

以下总结几个常见的EMI改良注意点。

 

一、PCB方面：

1.针对240MHz频点：

这个频点附近的EMI超标，大概率是高速USB功能导致的。

针对D+D-信号线，走线注意①走线尽量等长，②做好90Ω阻抗匹配，③双层板尽量在信号线的另一层，覆完整的GND铜；走线两边打GND过孔，尽量包住走线。

可以在靠近MCU端预留共模电感焊盘、电容焊盘，在靠近USB接口端预留共模电感焊盘，用于后续微调。

2.针对120~150Mhz频点：

这一频段，与MCU电源相关。启用DCDC会抬高这个频段将近2db的幅值。

可以在靠近USB端的5V线路中，预留电感焊盘、电容焊盘。

 

二、软件方面：

CH585、CH587系列的ram够大，可以将尝试将USB模式下的所有代码，均搬运到ram中运行，以减少codeflash工作产生的噪声。

 

三、结构方面：

1.尽量使用带GND编织网全包络的USB线材，或是在USB设备端、USB主机端各有一个磁环的USB线材，可大幅改善多个频点的超标情况。USB线材一般较长，天线效应比较明显；同一套设备，配合不同长度、不同线芯、不同屏蔽处理的USB线材，测得的EMI曲线差异很大。

2.若产品中包含多个PCB版，PCB板间的走线也尽量用带屏蔽的线材。比如，FPS软排线尽量有带电磁屏蔽膜的。

3.若产品有大面积的外壳金属，尽量将PCB板的GND连到金属外壳。悬空的金属外壳会不定向的改变产品的EMI特性。