DHT低速存储芯片老化系列设备落地量产，实现DR/NAND国产存储芯片可靠性测试

伴随AI算力爆发、汽车电子与物联网产业高速发展，DDR5、LPDDR5、NAND Flash、eMMC、UFS等存储芯片市场需求持续走高，国产存储原厂、封测企业加速扩产，芯片老化可靠性测试作为存储芯片出厂前的关键质控环节，设备国产化、量产化需求愈发迫切。针对低速存储芯片大规模老化测试痛点，上海DHT^@（多禾试验）旗下半导体品牌DHT^@.semi推出低速存储芯片老化系列产品，打造高性价比量产型存储芯片老化测试解决方案，为存储芯片封测、芯片制造企业提供可靠测试硬件支撑。

在存储芯片景气周期之下，DDR3/DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5、eMMC、UFS、NAND Flash等存储颗粒广泛应用于GPU、AI终端、车载电子、云计算、物联网设备。车载、工业级场景对存储芯片宽温可靠性要求严苛，单纯常温测试难以挖掘芯片潜在早期失效缺陷，低温老化测试成为筛选不良芯片、降低终端返修率必不可少的工序。当前不少产线面临设备采购成本高、板卡兼容性差、温场均匀度不足、自动化程度低等现实难题，行业急需适配量产产线、兼容多品类低速存储芯片的国产老化测试设备。

DHT^@.semi低速存储芯片老化系列产品面向量产场景开发，提供单腔24 slots、双腔48 slots两种核心构型，层间距45mm，可按需选配测试板自动插拔机构、自动开关门机构，助力产线实现自动化作业，有效降低人工介入，提升产线测试吞吐量，适配存储芯片制造商、封测厂商大批量老化测试生产需求。

在温控性能方面，DHT^@.semi低速存储芯片老化系列产品支持多档温度区间可选：10℃~150℃、-40℃~150℃、70℃~150℃，空载温度均匀度可达±1℃，满载±3℃，带载能力6.5kw，宽温域稳定输出，可复现消费电子、工业、汽车电子的极端温度工况，完成三温老化可靠性验证，充分激发存储芯片潜在失效问题，保障DDR、NAND、eMMC等芯片测试数据真实可信。

DHT^@.semi低速存储芯片老化系列产品具备以下五大核心产品优势：

第一、量产化设计。面向大规模工厂产线深度优化，高吞吐量设计，满足存储芯片大批量老化测试生产任务。

第二、高板卡兼容性。兼容国内外主流BIB板卡与主流系统板卡，无需大规模改造现有测试方案，快速集成导入现有产线。

第三、自研智能分量智控算法。DHT^@.semi自研分量智控技术算法，对老化测试全过程精准调控，保障长时间老化测试过程参数稳定可控。

第四、灵活配置选型。提供双容量规格、多温位版本、低速存储专用机型，客户可以结合测试芯片类型、产能规划灵活选型。

第五，高可靠低功耗硬件架构。整机采用低功耗设计，故障率低，支持长时间不间断长期运行，减少产线停机维护时间

此外，DHT^@.semi低速存储芯片老化系列产品可适配DDR3/DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5、eMMC、UFS、NAND Flash等主流低速存储芯片，广泛服务存储芯片原厂、半导体封测企业、高端电子设备供应商，覆盖人工智能算力、GPU配套、汽车电子、云计算、物联网等重点产业，助力国产存储颗粒完成可靠性验证，赋能国产存储芯片产业升级。

品质与服务层面，DHT^@.semi从关键元器件选型到整机结构设计全部遵循工业级耐久标准；创新散热风道，兼顾宽温精准控温同时优化整机功耗表现；同时给出五年保修长期品质承诺，本土技术团队快速响应现场调试、故障排查，解决半导体工厂设备运维后顾之忧。

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如今，随着国产存储芯片加速替代，存储老化测试设备作为半导体后道测试关键装备，重要性持续提升。DHT^@.semi低速存储芯片老化系列设备以国产化、高可靠、高性价比的量产解决方案，补齐低速存储芯片老化测试硬件短板，助力国内封测与存储制造企业提升芯片可靠性管控能力，护航DDR、NAND、嵌入式存储芯片产业高质量发展。

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