2.3NandFlash的操作

2.3NandFlash的操作

1.NandFlash分类：

 

2.MLC和SLC对比：

 

 

 

 

3.信号引脚：

 

 

Nandflash的读：

页读：页地址

随机读：页地址+列地址

 

今天是要实现页读：需要页的地址。

我们来看芯片手册K9F2G08U0A.pdf：找到桉叶读的工作原理图：

寄存器NFCONT：

在这个寄存器里的【1】位：

 

上面就是选择操作nandflash的位：

 

1. nandflash的statue寄存器：

   

   第四位：

   

   清除RB：第四位为1是，清除RB。

   

2. 接下来是发送的操作：

   寄存器：

   

   

   

3. 发送：

   

   

4. NFDATA：

   

   主方法：

   

   Make：编译

   

    

   要实现nandflash进行读的功能，必须进行初始化：主要对一下两个寄存器进行初始化：

   

   

   我们主要是初始化这个寄存器的三个参数：TACLS，TWRPH0，TWRPH1。

   

   有下面的参数得上图参数：为了我们的nandflash能够工作，必须满足他的最小值。

   TACLS=0ns

   TWFPH0=12ns

   TWFPH1=5ns

    

    

   

   上面三个参数的取值运算：

   

   我们的nandflash使用的HCLK，频率是100MHz的。那么他每震动一次对应的时间是10ns(1/100MHz).

   上面有算TACLS>0ns

   TWFPH0>12ns

   TWFPH1>5ns的公式。

   要实现duration=HCLK*TACLS=10ns*TACLS>0,只需要取TACLS=1，即可。

   要实现duration=HCLK*(TWRPH0+1)=10ns*(TWRPH0+1)>12ns,只需要TWRPH0=2即可

   要实现duration=HCLK*(TWRPH1+1)=10ns*(TWRPH1+1)>5ns,只需要TWRPH1=1,即可。

   

   

   接下来是初始化我们的NFCONT，先disable，再enable使用。

   

   

   复位的操作：

   

   

   

   接下来就是来测试这些函数。

   解决隐患：