• 博客园logo
  • 会员
  • 众包
  • 新闻
  • 博问
  • 闪存
  • 赞助商
  • HarmonyOS
  • Chat2DB
    • 搜索
      所有博客
    • 搜索
      当前博客
  • 写随笔 我的博客 短消息 简洁模式
    用户头像
    我的博客 我的园子 账号设置 会员中心 简洁模式 ... 退出登录
    注册 登录

SOC/IP验证工程师

  • 博客园
  • 联系
  • 订阅
  • 管理

公告

View Post

ram接口的读写时序

RAM的分类比较多,单口RAM,双口RAM等等,详细的不再介绍。这里使用的是simple dual port RAM。本次实验的内容是RAM的交替读写,RAM的读写位宽和深度都设置为256x8来完成这部分的内容。
内部产生一个写使能信号,当写使能信号为高时向RAM中写入数据,写端口的地址开始叠加,当写完数据之后把写使能信号拉低,此时开启RAM的读端口,读地址开始叠加,当读完数据后在写使能信号拉高,开始写入数据,如此往复循环。
绘制波形如下:

posted on 2025-06-15 15:24  SOC验证工程师  阅读(174)  评论(0)    收藏  举报

刷新页面返回顶部
 
博客园  ©  2004-2025
浙公网安备 33010602011771号 浙ICP备2021040463号-3