MOSFET 场效应管：IRF4905（P沟道）、IRF3205（N沟道）

在 H 桥电路中，同时用到 IRF4905、IRF3205 。

 

G - D - S Gate 栅极, Drain 漏极, Source 源极
IRF4905	IRF3205
P沟道   P-channel Field-Effect Transistor (P-FET) 电流从 D 流向 S 。   检测：万用表二极管挡 1、0V, R DS = 430 Omh, R SD \ 。 2、V GS -3.2V （G负极，S正极），二极管挡 R DS 蜂鸣导通。 （xx xx 15 Omh, PE23 60 Omh） 标准情况 R SD 不通。（e.g. PE23批次） 国产系列，R SD 导通，二极管挡 200~500 Omh 。	N沟道   电流从 S 流向 D 。 检测：万用表二极管挡 1、0V，200K电阻挡，双向 R SD 或 R DS 都是 \ 。 2、0V，二极管挡，R SD = 440 Omh，R DS \ 。 3、 V GS +2.7V （G正极，S负极），二极管挡 R SD 蜂鸣导通。 4、国产有电容充电效应，G 极如果没有对 D 放电，则持续导通。
通过调控 栅极G 电压（相对 源S），形成电场，从而控制 漏D-源S 电流。 P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出
触发：V GS th , -4.0 ~ -2.0 V 。	V GS th 2.0 ~ 4.0 V
举例：（详解） P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通， 如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V	（详解）