【NVM Devices：Nonvolatile Memory Technology With Emphasis on Flash】【第0期】

NMT on Flash —— foreword

参考：2007年的NONVOLATILE MEMORY TECHNOLOGIES WITH EMPHASIS ON FLASH A Comprehensive Guide to Understanding and Using NVM Devices

为了应对reprogram的需求，Flash几经波折才把ERPROM给PK下台

FLASH两大类，NOR与NAND

Flash主要有两种技术方向，早期只有NOR Flash，其有着random-access cell，在高速应用如：电话，代码储存领域非常契合。
基于串结构的NAND Flash技术，虽然访问时间较慢，但随着低成本的文件存储需求，其技术也不断发展。常见的NAND Flash应用领域有：MP3， 数字相机等等

memory发展与未来

Flash Memory 的规模与摩尔定律匹配的非常好，使得flash的价格从1988年的$100/MB到后来的2004年的10 cents/MB

然而，未来flash的发展并非一帆风顺
在来到45nm制程后，似乎碰到了flash的物理极限，因为flash的program和erase所需的电场强度在这个更小的尺寸下，会把MOS击溃，再强行往下缩减制程良率将会降低。

新的存储技术

因此人们开始探索新的替代flash的技术，比如magnetic RAM（MRAM），ferroelectic RAM（FeRAM）等等。为了memory格局如何，我们将拭目以待