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摘要： 做表格太麻烦了，截个图吧，后续用得到可以码下来： 原理图check list： 阅读全文

摘要： 1.IR2130与MOS管总体驱动框图 2.IR2130芯片简单介绍 是一款很老的片子。 IR公司推出的IR21xx系列集成芯片是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片，通过自举电路工作原理，使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件，因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方 阅读全文

摘要： 电感的物理基础 1.电感的定义：通常是指由导线绕成的线圈或螺线杆的电感，其中有磁力线通过。或者说对表面磁场强度的数值积分。 2.电感三个基本法则： （1）电流周围会形成闭合磁力线匝数； （2）电感是导体电流1A时周围的磁力线匝数； （3）周围磁力线匝数改变时，导体两边产生感应电压。 3.我们以韦伯W 阅读全文

摘要： 电容的物理基础 1.导体的电容量就是单个导体上存储的电荷量与导体之间电压的比值。 2.电容是对两个导体在给定电压下存储电荷效率的变量。 3.如果两个导体之间没有直流路径，在他们之间就有电容，其阻抗会随频率的升高而降低，在高频时阻抗会非常低。 4.电容的微妙之处在于即使两个导体之间没有直接连接线（可能 阅读全文

摘要： 今天梳理一下IGBT现象级的失效形式。 失效模式 根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等，但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种，其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。 阅读全文

摘要： 1.所有互连线的电气特性都完全可以应用麦克斯韦方程来描述、这四个方程描述了电场和磁场是如何与边界条件（即一些几何结构中的导体和介质）相互作用的。 所有互联和无源元件的电气描述都基于3种理想的集总电路元件（电阻器、电容器和电感器）和一个分布元件（传输线）。 2.优化系统物理设计的关键是：能够根据物理设 阅读全文

摘要： 阻抗与电气模型 1.用阻抗描述信号完整性 （1）信号是指变化的电压或变化的电流 。所有信号完整性问题都是由模拟信号（变化的电压或者电流）与互联电气特性之间的相互作用引起的，而影响信号的关键电气特性是互联的阻抗。 （2）阻抗被定义为电压和电流之比： 知道了互联的阻抗和传播时延，也就知道了它的几乎所有的 阅读全文

摘要： 一.超级电容 超级电容器通常应用于短期能量存储、再生制动、静止的随机存储器备份之中。 超级电容，又名电化学电容，双电层电容器、黄金电容、法拉电容，是从上世纪七、八十年代发展起来的通过极化电解质来储能的一种电化学元件。 它不同于传统的化学电源，是一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源，主要依 阅读全文

摘要： 信号完整性问题的11个基本原则 提高高速产品设计的关键是：充分利用分析工具实现准确的性能预估，使用测量手段验证设计过程，降低风险并提高所采用设计工具的可信度。 将问题的实质与表面现象剥离开的唯一可行途径是：采用经验法则，解析近似，数值仿真工具或测量工具获得数据，这是工程实践的本质要素。 任何一段互联 阅读全文

摘要： 时域与频域 1.时域：是真实的世界，是唯一存在的域。 其中： Fclock​是时钟频率，单位为GHz. Tclock​是时钟周期，单位为ns. 根据逻辑系列可知，下降时间通常比上升时间短一些（由典型CMOS输出驱动器的设计造成的） 上升边：信号从低电平跳变到高电平所经历的时间（10%~90%或20% 阅读全文