随笔分类 - 技术笔记
摘要：1.旋转变压器的分类 2.旋转变压器的结构和工作原理 3.旋转变压器的应用 旋转变压器是测量机械转角的控制电动机。旋转变压器的输出电压与转子转角具有一定的函数关系，根据具体的设计方法，可以获得正弦关系、余弦关系或线性关系等函数关系。在控制系统中可以用做检测元件、坐标变换、三角运算等。这种控制电动机在
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摘要：一。模拟开关 1.定义 模拟开关，英文名Analog switches；主要是完成信号链路中的信号切换功能。采用MOS管的开关方式实现了对信号链路关断或者打开；由于其功能类似于开关，而用模拟器件的特性实现，称为模拟开关。 模拟开关在电子设备中主要起接通信号或断开信号的作用。由于模拟开关具有功耗低、速
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摘要：一。凝露现象 1.成因 在各类被测物的环境应力筛选中，温度快速上升时被测物上易出现凝露等物理现象，并因此产生：吸附、吸收、扩散、呼吸等湿度现象。凝露现象的产生与产品材料、体积、升降温速率、相对湿度、箱内气压和空气流速等因素都有关系。 当试验箱中环境温度升高时，由于热惯性，产品表面的温度低于环境温度，
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摘要：IGBT损耗计算及散热设计方法 1.IGBT损耗的计算方法1.1 关于IGBT的损耗1.2直流斩波电路IGBT损耗的计算方法1.3正弦波VVVF变频器应用时IGBT模块损耗的计算方法 2.散热器（冷却体）的选定方法3.IGBT模块的安装方法 资料参考：《富士电机株式会社》 1.IGBT损耗的计算方法
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摘要：关于芯片或者功率模块热相关计算 1.热阻的概念 2.电子元件热阻的计算公式（大功率和小功率补充说明） 3.芯片热计算举例 4.功率模块热计算举例 1.热阻的概念 热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值。单位为开尔文每瓦特（K/W）或摄氏度每瓦特（℃/W）。 当热量流
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摘要：在对功率模块选型的时候要根据功率模块的参数匹配合适的驱动器。这就要求在特定的条件下了解门级驱动性能和参数的计算方法。 本文将以实际产品中用到的参数进行计算说明，并且对比实际的IGBT和SiC MOSFET之间驱动参数的实际差异。 参考资料：《IGBT以及MOSFET的驱动参数的计算方法》concep
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摘要：高压互锁（HVIL） 高压互锁的定义 高压互锁（HVIL），是高压互锁回路（Hazardous Voltage InterlockLoop）的简称。也叫危险电压互锁回路（US7586722 High Voltage Interlock System and Control Strategy），高压互
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摘要：SBC芯片35584数据手册翻译 第六章预调节器 6.1 介绍 预调节器必须保持稳定稳定的中间电路电压，以提供以下后调节器。它由两个独立的调节器组成：一个降压变频器，前面有一个外部功率级，以保持以下降压变频器的最小输入电压。 通过将引脚STU连接到接地，可以停用升转换器（如果不需要）。让针脚STU打
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摘要：MOS管驱动感性负载特性 大部分资料来自知乎： https://zhuanlan.zhihu.com/p/149830125 1.几种负载在直流电路中的特点 电阻性负载：电流电压的关系符合基本欧母定律,I = U/ R 。 感性负载：允许电流流过，但电流滞后于电压，可储能于电感。 容性负载：阻止电流
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摘要：1.确定失效问题 为了提高失效分析效率，最好在提出分析申请前，尽可能的把问题定位到具体的网络。故障定位过程中尽可能避免破坏故障现象，保持原始形貌，一般不允许对故障部位重新焊接，慎重使用加热、加压、加电冲击等手段，否则会影响后续的失效分析。 2.失效样品背景信息调查 这部分工作是失效分析的一个重点部分
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摘要：做表格太费劲了，截个图吧，有需要的可以码下来： PCB Check list：
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摘要：做表格太麻烦了，截个图吧，后续用得到可以码下来： 原理图check list：
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摘要：1.IR2130与MOS管总体驱动框图 2.IR2130芯片简单介绍 是一款很老的片子。 IR公司推出的IR21xx系列集成芯片是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片，通过自举电路工作原理，使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件，因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方
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摘要：今天梳理一下IGBT现象级的失效形式。 失效模式 根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等，但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种，其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。
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摘要：一.超级电容 超级电容器通常应用于短期能量存储、再生制动、静止的随机存储器备份之中。 超级电容，又名电化学电容，双电层电容器、黄金电容、法拉电容，是从上世纪七、八十年代发展起来的通过极化电解质来储能的一种电化学元件。 它不同于传统的化学电源，是一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源，主要依
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摘要：干接点和湿接点 1.什么是干接点？ 无源开关；具有闭合和断开的两种状态；2个接点之间没有极性，可以互换。 常见的干接点信号有： 1）各种开关如：限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等； 2）各种按键； 3）各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器：水浸传感器、火灾报警传感器
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摘要：3.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动电压，实际调研过程中模块用的都
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摘要：时间统一系统 在航天活动中，各测控战所获取、记录的测量数据和事件都必须要有严格统一的同一时间标准才能对他们进行分析和处理，才具有使用价值。时间信号还用于控制程序仪器，完成火箭、导弹的点火和使仪器按程序工作。 时间统一系统是为测控系统提供统一标准时间信号和标准频率信号的系统。航天测控设备种类多、数量大
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摘要：中低速航天电子总线概述： 1.MIL-STD-1553B 1)1553B总线全称：飞行器内部时分命令/响应式多路数据总线； 2)国内对应标准：GJB289A-97； 3)传输速率：1Mb/S； 4)传输方式：半双工，BC->RT；字长度20bit，数据有效长度16bit；冗余总线型拓扑结构，双冗余故
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摘要：碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压，
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浙公网安备 33010602011771号