随笔分类 - 技术笔记
摘要：SiC MOSFET驱动电压的分析 作者：Xiou tips:资料来自富昌电子，及各个模块数据手册。 1.常见的Vgs与Vgs(th)，以及对SiC MOSFET应用的影响 驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)关系到SiC MOSFET在应用过程中的可靠性，功率损耗(导通电阻)，以及驱动电路的
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摘要：IGBT窄脉冲现象 tips：资料来自知乎 英飞凌《IGBT窄脉冲现象解读》 IGBT窄脉冲现象 1.什么是窄脉冲现象? 2.窄脉冲现象的原因 3.双脉冲测试IGBT窄脉冲开通 4.FWD窄脉冲开通 1.什么是窄脉冲现象? IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活
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摘要：硬件工程师入门基础知识 （一）基础元器件认识（二） 1.二极管2.三极管3.MOS管4.IGBT5.晶振 tips：学习资料和数据来自《硬件工程师炼成之路》、百度百科、网上资料。 作者：Xiou 1.二极管 肖特基二极管和硅二极管的比较： 肖特基二极管的优势主要在速度和压降，对这两个没要求的场景，那
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摘要：硬件工程师入门基础知识 （一）基础元器件认识（一） 今天水一篇hhh。介绍点基础但是实用的东西。 tips：学习资料和数据来自《硬件工程师炼成之路》、百度百科、网上资料。 1.贴片电阻 2.电容 3.电感 4.磁珠 1.贴片电阻 1.1常用电阻阻值 并不是所有的阻值的电阻都有生产，要根据需求选择合适
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摘要：需求分析： 1.差分输入0~16V -Vpp电压量； 2.输入频率0~1.2KHz； 3.单端对应输出0~3V的模拟量； 4.输出频率对应0~1.2KHz； 5.供电范围3~5V。 针对以上需求，设计如下图所示电路。 1.电路功能： 将输入的差分正弦模拟信号0~16V Vpp信号先经过电阻网络分压，
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摘要：新能源汽车800V电机驱动技术分析 资料来自：驱动视界、网络、百度百科、搜狐 1.电驱系统发展趋势 2.800V电驱系统分析 3.面临的问题 1.电驱系统发展趋势 《节能与新能源汽车技术路线图2.0》 美国能源部旗下有一个叫做U.S. DRIVE的组织，专门负责汽车技术的规划，它的全称是U.S. D
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摘要：电驱系统电磁兼容基础知识及测试方法 学习参考：驱动视界公众号、百度百科、《电动汽车电机驱动系统EMC研究综述》 1.背景 2.电磁干扰三要素 3.电波暗室与屏蔽室的原理 4.测试方法 5.如何看测试数据 6.工作中需要注意的EMC的几点问题 7.案例 1.背景 汽车工业发展经验表明，汽车电子系统出现
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摘要：功率二极管的损耗分析和选型原则 tip：参考网上资料，学习为主 作者：Xiou 1.二极管的分类 1.1按照频率 最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化
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摘要：变压器耦合栅极驱动 1.单端变压器耦合栅极驱动电路 2.双端变压器耦合栅极驱动 在高电压栅极驱动 IC 出现以前，使用栅极驱动变压器是唯一一种在离线或类似高电压电路中驱动高侧开关的可行解决方案。 现在，两种解决方案同时存在并且各有利弊，可用于不同的 应用非常重要。集成高侧驱动器非常方便，使用的电路板
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摘要：交流耦合栅极驱动电路 1.计算耦合电容 2.耦合电容器的启动瞬变 3.总结 栅极驱动路径中的交流耦合可为栅极驱动信号提供简单的电平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET 的开通和关断栅极电压，而高侧栅极驱动则不同，它最需要关注的是缩小较大的电势差。在如 图31 所示的接地参考示例中，栅极驱动在
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摘要：高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器 2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是使用P沟道还是 N沟道器件，是实施直接驱动、电平位移驱动还是自举技术，它们都有差异。无论采用哪种方式，高
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摘要：同步整流器驱动 1.栅极电荷 2.dv/dt注意事项 MOSFET 同步整流器是接地基准开关的一个特例。这些器件与传统应用所使用的 N 沟道 MOSFET 相同，只是它们被应用到了电源的低电压输出而非整流器二极管中。 它们通常可在非常有限的漏源极电压摆幅下工作，因此，CDS 和 CGD 电容器具有相
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摘要：栅极驱动参考 1.PWM直接驱动 2.双极Totem-Pole驱动器 3.MOSFET Totem-Pole驱动器 4.速度增强电路 5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制其直接控制栅极，如 图 8 所示。 直接栅极驱动最艰巨的任务
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摘要：MOSFET技术 1.器件类型 2.MOSFET模型 3.MOSFET关键参数 4.开关应用 5.开通过程 6.关断过程 7.功率损耗 8.寄生器件的影响 双极晶体管和 MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电
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摘要：电气间隙与爬电距离 1.术语和定义2.概念解释3.确定爬电距离4.确定爬电间距 参见国外标准《IEC60664-1》 国内对应标准《GB T 16935-1》 1.术语和定义 （1）绝缘配合 insulation coordination 考虑了预期微观环境及其他影响作用情况下电气设备绝缘特性的相互
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摘要：母线电容及其计算方法 1.母线电容是什么？ 2.母线电容有什么作用？ 3.母线电容的参数。 4.母线电容参数计算。 1.母线电容是什么？ 工程定义： （1）在电机控制器中，电池包的直流电作为输入电源，需要通过直流母线与电机控制器连接，该方式叫DC-LINK或者直流支撑，其中的电容我们称之为母线电容或
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摘要：无位置控制方法研究 1.无位置控制技术研究现状 2.反电动势过零检测法 3.反电动势三次谐波积分检测法 4.续流二极管法 5.磁链法 6.扩展卡尔曼滤波算法（EKF） 7.基于扩展卡尔曼滤波算法（EKF）的转速及位置估算 8.电感测量法 9.涡流效应检测法 10.人工智能法 11.电流法 1.无位置
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摘要：汽车行业使用LDO直接连接电池的应用 Tips：参考TI官网 这里有比较全面的LDO基础知识 1.简介 2.线性电压调节器 3.可调节输出电压 4.汽车电池电压特性 5.直流参数 6.功能说明 7.保护 8.应用选择 9.结温和热考虑 1.简介 在汽车领域，LDO能提供良好的电压纹波抑制和电磁兼容性
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摘要：实现数据转换器的接地并解开AGND和DGND的谜团 1.为什要区分AGND和DGND？ 2.接地层电源层 3.低频和高频去耦 4.双面和多层印刷电路板 5.多卡混合信号系统 6.分离模拟和数字接地层 7.具有低数字电流的接地和去耦混合信号IC 8.小心对待ADC数字输出 9.采样时钟考量 10.混合
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摘要：去耦技术 1.正确的去耦选择 2.实际电容器及寄生效应 3.去耦电容类型 4.局部高频去耦建议 5.由LC去耦网络构成的谐振电路 资料参考ADI官网技术指南《MT-101》 **去耦：**去耦，专指去除芯片电源管脚上的噪声。该噪声是芯片本身工作产生的。 在直流电源回路中，负载的变化也会引起电源噪声。
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