随笔分类 - 技术笔记
摘要：（六）锁相环（PLL） 1.模拟锁相环2.数字锁相环3.PLL隔离技术 系统设计人员需要隔离PLL，使其免受内部和外部噪声的影响。PLL通常用作频率合成器，将输入时钟乘以一个整数。该整数是反馈计数器M除以输入计数器N的比值，如所示Figure 6-1。 两种主要的PLL架构是模拟PLL (APLL)
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摘要：（五）印制电路板或PCB布局 所有电路设计完成后，下一步是电路板布局。这是开发过程中非常关键的一步，因为滤波电路的有效性取决于元件相对于 DSP引脚的放置位置。此外，电路板布局对噪声、串扰和传输线效应有很大影响，因此优化布局可以将这些影响降至最低。首先，设计师需要确定PCB 的最少层数，然后配置电路
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摘要：（四）DSP电源设计 1.电源设计的重要性2.DSP电源架构考虑3.电源去耦技术3.1 一般经验法则解耦法3.2 解耦分析方法3.3 分析案例3.4 计算去耦电容值3.5 高频噪声隔离 1.电源设计的重要性 电源设计可能是高速 DSP 设计中控制噪声和辐射的整个过程中最具挑战性的一个方面。 这主要是
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摘要：（三）串扰 1. 高速和低速电路电流返回路径2. 辐射引起的串扰 消除DSP 系统中的所有噪声既不实际也没有必要。除非噪声干扰周围的电路或辐射超过标准限制的电磁能最，否则噪声不成问题。当噪声干扰其他电路时，这被称为串扰。串扰可以通过电磁辐射或电气方式传播，例如不需要的信号在电源层和接地层上传播时。为
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摘要：（二）传输线（TL）效应 1. 概述2. 传输线理论3. 并行终端仿真4. 传输线的目标阻抗5. TL仿真和实验结果对比5.1 无负载或源端接的传输线5.2 传输线源端串联 6. 接地网络对传输线的影响 1. 概述 传输线(TL)效应是高速 DSP 系统中噪声问题的最常见原因之一。跟踪何时成为Tls
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摘要：（一）高速DSP设计面临的挑战 1. 概述2. 一般挑战3. DSP音频系统的挑战4. 视频系统的挑战5. DSP通信系统面临的挑战 资料参考来自TI官网和网络。 1. 概述 DSP芯片，也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘
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摘要：（四）电源 PDN 配置 1. PDN2. 电容分层定位3. PCB上面的目标阻抗4. 大容量电容5. PCB电容定位6. 电容设计步骤6.1 设置目标阻抗6.2 大容量电容设计6.3 PCB 电容设计计算6.4 PCB 电容放置半径6.5 降低去耦电路的 ESL 7. 总结 电源走线与去耦电路的以
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摘要：（三）磁珠/电感的噪声抑制 1. 电感1.1 电感频率特性 2. 铁氧体磁珠3. LC 型和 PI 型滤波 当去耦电容器不足以抑制电源噪声时，电感器&磁珠/ LC 滤波器的结合使用是很有效的。扼流线圈与铁氧体磁珠 是用于电源去耦电路很常见的电感器。 1. 电感 当去耦电路中的电源线上串入磁珠/电感时
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摘要：（二）电容的噪声抑制 1. 电容的频率特性1.1 MLCC1.2 LW逆转电容1.3 三端子电容 2. 电容layout3. 电容安装位置与干扰路径4. 多个电容并联及反谐振 由于电容自身的频率特性以及器件在 PCB 上面的 layout，在噪声抑制的效果也会受到影 响，本章描述去耦电容的频率特性以
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摘要：（一）MCU去耦设计介绍 1. 概述2. MCU需要去耦的原因2.1 去耦电路简介2.2 电源噪声产生的原因2.3 插入损耗2.4 去耦电路简介 参考资料来自网上： 1. 概述 我们经常看到单片机或者IC电路管脚常常会放置一个或者多个陶瓷电容，他们主要是为了增强 MCU 电源的电源完整性 PI，降低
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摘要：TMS320F280049最小系统原理图 1.概述2. 典型的 F2800x 系统方框图3. 最小系统原理图设计3.1 封装和器件决策3.2 电源及去耦电容3.3 晶振3.4 GPIO3.5 ADC模块3.6 JTAG 最近做了个新车规项目，第一次接触TMS320F280049，记录一下，最小系统原
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摘要：IIC总线上拉电阻计算 1. 概述2. 上拉电阻计算3. 总线传输速度与功率4. 实例计算 1. 概述 IIC（Inter-Integrated Circuit）其实是IICBus简称，所以中文应该叫集成电路总线，它是一种串行通信总线，使用多主从架构，由飞利浦公司在1980年代为了让主板、嵌入式系统
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摘要：ST典型碳化硅MOSFET驱动应用方案 1.栅极驱动器规格和功能实现 参考资料：ST官网应用手册《AN4671》 作者：Xiou 1.栅极驱动器规格和功能实现 以下是对栅极驱动要求的简短列表： dv / dt 的瞬变抗扰度：在整个温度范围内 ±50 V/ns。 碳化硅 MOSFET 是针对快速切换和
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摘要：如何调整碳化硅 MOSFET 驱动来减少功率损耗 1.如何减少传导损耗？2.如何减少开关损耗？2.1 关断损耗 (Eoff) 取决于 Rg 和 Vgs-off2.2 开通损耗 (Eon) vs. Rg2.3 开通损耗 Eon 和反向恢复损耗 Err 的米勒效应2.4 对驱动电流的要求 作者：Xiou
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摘要：CAM350 PCB开短路检查指导 Layout完成后，通过DRC和华秋DFM检查没有问题后，使用CAM350进行开短路的检查，没有问题后可转交制版厂。 ①首先通过AD生成IPC文件，下图为生成步骤： File→Assembly Outputs→Test Point Report ②不用修改，直接O
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摘要：PCB制板之前的DFM分析 1.华秋DFM分析2.AD18输出IPC文件3.华秋DFM分析开短路 1.华秋DFM分析 1.打开华秋DFM软件，目前先用这软件做DFM分析，主要是简单容易上手操作，并且分析完成之后可以一键下单。 2.将输出的gerber文件导入华秋DFM这个软件.如下图所示： 文件->
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摘要：功率器件的仿真评估 1.功率器件仿真评估概述2.IGBT温升模型整理3.Matlab仿真计算4.仿真评估报告 1.功率器件仿真评估概述 功率器件的仿真评估共五个步骤： a.根据IGBT数据手册整理中热阻参数、开关损耗参数温升模型； b.带入到Matlab中仿真堵转、中速运行、高速运行三种工况下IGB
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摘要：如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间 1. IGBT 桥臂直通的原因2.死区时间对逆变器工作的影响3.计算死去时间的基础4. 开关和延迟时间的定义5.门级驱动电阻/驱动器输出阻抗的影响6.影响延迟时间的其他因素6.1 开通延迟时间6.2 关断延迟时间 7.死区时间计算值校验8.如何减小死区时
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摘要：利用单级栅电压驱动IGBT 1. 0V关闭1.1 通过米勒电容开启1.2 通过杂散电感开启1.3 带共辅助射级的模块中的寄生开启 2. 寄生开关的证明3.建议措施3.1 改变栅极电阻3.2 利用单独的栅极电阻实现非要害开启和关闭3.3 增加栅极射电容来分流米勒电流3.4 利用晶体管分流米勒电流（有源
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摘要：PT100/PT1000温度采集电路方案 1.PT100和PT1000温度阻值变化表 金 属 热 电 阻 如 镍 、铜 和 铂 电 阻 ，其 阻 值 随 温度的变化是正相关的， 以铂的物化性质最稳定，应用最广泛。 常用铂电阻 Pt100 的测温范围为-200～850 ℃，此外 Pt500、Pt100
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