EMC分析

EMC的设计笔记

EMC包括EMI和EMS（电磁兼容包括，电磁干扰和电磁抗干扰）

主要从三个方面着手，回路 源 阻抗

源： di/dt dv/dt 开关和MOS管的导通关断

回路：任何器件都有杂散电容和电感会形成高频通路，即影子电路。

阻抗： 降低能量，增大回路中的阻抗 对高频有阻性对低频无阻性

措施： 堵 采用电感，频率越高，感抗越大

​ 疏导 采用电容，频率越高，容抗越小

源：差模干扰源 和 共模干扰源

源头分析

对于开关MOS管，需要增加开通和关断的驱动电阻，使得开通和关断的速度减慢，dv/dt变小。主开关的器件，对共模干扰会产生较大的影响，也是主要影响。

开通电阻和关断电阻不一样大，可行产生死区，采用的方式是慢开快关。

在输出的整流二极管上增加RC吸收电路，可以防止浪涌。一般电阻值时10-100Ω和1nf-10nf之间。

所有的二极管RC吸收电路可能都得通过实际调试来确定，因为功率二极管本身有结电容，功率线路存在寄生，特别是大功率电路。
1。先去掉RC，测量初始振荡频率多高；
2。直接在功率二极管两端并一个电容，慢慢增大电容，使振荡频率减为初始的一半，电容就固定在这个容值，一般在1nF-10nF之间，并且计算出电路的寄生电容、电感；
3。根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小，或者干脆通过实验的方法尝试不同的阻值，几欧到几十欧范围。

参考精华帖子：https://bbs.21dianyuan.com/thread-46157-1-1.html