随笔分类 - 单片机
摘要:51单片机查表指令51单片机具有两条查表指令,用于从 ROM 中读出预存的数据: MOVC A, @A + PC MOVC A, @A + DPTR 问题:在“MOVC A,@A+DPTR”和“MOVC A,@A+PC”中,分别使用了DPTR和PC作基址,请问这两个基址代表什么地址?使用中有何不同?
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摘要:单片机汇编语言求解(1)把R0的内容送到R1(2)内部RAM10H单元的内容传送到A中 (3)外部RAM1000H单元的内容送到R1 (4)外部ROM2000H单元的内容送内部RAM30H单元1.mov a,r0mov r1,a2. mov a,10h3.mov dptr,#1000hmovx a,
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摘要:c51中的存储类型 code :程序存储区(64KB), data :可直接寻址的内部数据存储区(128B) idata:不可直接寻址的内部数据存储区(256B) bdata:可位寻址内部数据存储区(16B) xdata:外部数据存储区(64KB) pdata:分页的外部数据存储区
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摘要:单片机片内ROM数据转移到片内RAMORG 0000H LJMP MAIN ORG 0030H DB 01H,02H,03H,04H,05H,06H,07H,08H,09H,0AH,0BH,0CH,0DH,0EH,0FH ORG 1000H MAIN: MOV R2,#0FH MOV R0,#30H
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摘要:MOV A,R0 :E8HMOV A,#50H :74H 50H Rn(n=0~7)当前工作寄存器组中的寄存器R0-~R7之一Ri(i=0,1)当前工作寄存器组中的寄存器R0 或R1@ 间址寄存器前缀#data 8位立即数#data16 16位立即数direct 片内低128个RAM单元地址及SFR
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摘要:串口通讯中断应用12M晶振 波特率2400 连接好串口或者usb转串口至电脑,下载该程序,打开电源 打开串口调试程序,将波特率设置为2400,无奇偶校验 晶振12MHz,发送和接收使用的格式相同,如都使用 字符型格式,按复位重启程序,可以看到接收到 UART test,请在发送区输入任意信 然后在发
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摘要:serve.h /* funtion:automatic download explanation: switch:#define _DOWNLOAD_(before #include"serve.h") remember to use uart_init before! */ #ifdef _DO
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摘要:void Timer0Init(void) //50毫秒@11.0592MHz { AUXR &= 0x7F; //定时器时钟12T模式 TMOD &= 0xF0; //设置定时器模式 TL0 = 0x00; //设置定时初值 TH0 = 0x4C; //设置定时初值 TF0 = 0; //清除TF
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摘要:1头文件:HexLexer.h #ifndef _HEXLEXER_H_ #define _HEXLEXER_H_ #include <cstdio> #include <cstring> #include <cstdlib> /* Intel Hex文件解析器V1.0 Hex文件的格式如下: Re
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摘要:电容与电源连接,电子从电源的负极流出来,流进电容左边那个极板,金属板有很多的电子和正电荷是相对应的,只考虑电子,假设有三个电子从左边电源挤流到左边金属板,右边的金属板由于连接了电源的正极而吸引右边金属板里边的电子,由于电场的作用左边的电子和右边的电子形成了一个相互排斥,右边金属板相应数量的电子流到电
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摘要:三极管放大:NPN为例:箭头向外,三极管工作条件:条件1: 则从集电极C到发射极E要有电流, 因此集电极接电源正极,发射极接电源负极,三极管才工作。 电流方向(从电源正极 到集电极 到发射极,到电源负极) Uce正向电压(集电极到发射极间的电压:集电极电压高 发射极电压低)条件2: 基极接另一电源正
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摘要:三极管:半导体:纯粹的半导体不导电杂质半导体:导电P型:正电荷多N型:负电荷多二极管:P结--N结 正向导通 从P到N,反向不通NPN:P 基极b N 集电极c(负电荷少 收集电子 薄 电阻小) N发射极e(负电荷多 发射电子 厚 电阻大) 电流方向从P到N,带箭头为发射集(向外箭头)PNP:N 基
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摘要:1 ISP和IAP的工作原理 ISP的实现相对要简单一些,一般通用做法是内部的存储器可以由上位机的软件通过串口来进行改写。对于单片机来讲可以通过SPI或其它的串行接口接收上位机传来的数据并写入存储器中。所以即使我们将芯片焊接在电路板上,只要留出和上位机接口的这个串口,就可以实现芯片内部存储器的改写,
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摘要:如何提高FLASH的擦写次数 在实际应用中,用户经常需要在程序运行过程中保存或读取一些数据,这些数据在工作中经常会变化,而且掉电后也不能丢失,所以需要及时地进行存储,存储这些数据常用的存储器是EEPROM。HXM6002虽然本身不带EEPROM,但是它支持自编程技术,可以利用FLASH来模拟EEPR
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摘要:#include <stdio.h> int jcws(int a); int main() { int c=1080; c=jcwsa(c); printf("%d\n",c); getchar(); } //不完美:最末不能是连续的0 int jcws(int a) { int b=a,i; f
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摘要:stc89c52RC 内部flash读写 测试程序(转) (2013-01-13 00:38:52)转载▼ 标签: 歌力思正品代购 娱乐 stc89c52RC <wbr>内部flash读写 <wbr>测试程序(转) stc89c52RC <wbr>内部flash读写 <wbr>测试程序(转) 我要啦
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摘要:STC单片机采取EEPROM的模式而不采用FLASH.裸机程序指令就在Flash(Flash memory)中存放,而数据就放在了RAM中(flash的写入次数有限制,同时它的速度和RAM还是差很多)。更广泛说,在单片机上RAM存放data段、bss段、堆栈段;ROM(EPROM、EEPROM、Fl
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