吴建明

摘要： cmodel模拟器开发 对于一个公司来说，产品的设计周期就是生命线，一般来说都会在设计功能级仿真的c-model后直接转向RTL设计。 在目前的技术下，做cycle-by-cycle的设计和直接RTL设计的时间，感觉是差不太多的。nVidia同时维护functional and timing 的si 阅读全文

摘要： MXNet 图优化与算子融合Graph Optimization and Quantization based on subgraph and MKL-DNN Purpose MKL-DNN引入了两个高级特性：融合计算和降精度核。这些特性可以显著地提高各种深度学习拓扑在CPU上的推理性能。 然而，M 阅读全文

摘要： ALD技术，相机去噪，图像传感器 1. 作为镜片的防反射涂层技术被关注的ALD（atomic layer deposition）的引入趋势。 （a）为什么需要一种新的防止反射的涂层技术？ ALD被认为是最有前途的防止反射的涂层技术吗？ 原子层沉积（ALD）是将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的 阅读全文

摘要： FinFET与2nm晶圆工艺壁垒 谈到半导体工艺尺寸的时候，通常对于下面的一串数字耳熟能详：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人说5nm是半导 阅读全文

摘要： ALD对照CVD淀积技术的优势 ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层，对腔室的真空度要求比较高，对反应气体源及比例的要求也较高。 目前沉积速率还是比较慢，大大限制了其在工业上的推广应用，不过随着设备技术的不断进步，包括ALD系统，前景还是很值得期待的。 ALD 除了常规的半导体高K 材料，太阳能等 阅读全文

摘要： PVD与CVD性能比较 CVD定义： 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2 阅读全文

摘要： 摄像头PVD和CVD薄膜 在FDP 的生产中，在制作无机薄膜时，可以采用的方法有两种：PVD 和CVD (将VE 和VS 归于PVD ，而ALD 归于CVD)。 Physical Vapor Deposition (PVD) Physical Vapor Deposition (PVD)称为物理气象 阅读全文

摘要： CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装，通过有机/无机叠层结构的保护，水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day，保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜，保护量子点不受水氧破坏。 阅读全文

摘要： 薄膜封装，等离子体技术，原子层沉积，化学气相沉积 薄膜封装 薄膜封装概念 薄膜真空沉积的一个很重要的技术应用就是薄膜封装。人们对薄膜封装最简单的认识就是日常生活中最常见的保鲜膜，水氧渗透率大约是1-10 g/m2/day。先进薄膜封装，通过真空沉积一层或多层厚度在纳米或微米尺度的薄膜，大幅减少本体与 阅读全文

摘要： ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小，晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度，光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积单层薄膜几分之一的厚度，以尽可能生成最薄、最 阅读全文