2020年8月5日
最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量
摘要： 铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。 尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即 阅读全文
posted @ 2020-08-05 14:20 宇芯电子 阅读(344) 评论(0) 推荐(0)