摘要: 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加,以增加并潜在地替代传统的易失性存储器,新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力. 什么是STT-MRAM? 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM,相变存储器( 阅读全文
posted @ 2020-08-04 17:03 宇芯电子 阅读(857) 评论(0) 推荐(0)