08 2020 档案

Everspin MRAM内存技术如何工作
摘要：Everspin MRAM内存技术是如何工作的？下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。 Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于存储单元。 磁性隧道结存储元件 磁性隧道结（MTJ 阅读全文
posted @ 2020-08-31 14:45 宇芯电子 阅读(234) 评论(0) 推荐(0)
NOR闪存开始汽车领域的发展
摘要：随着汽车变得越来越智能，并需要更多的存储空间，很多技术都在为驾驶员的座位而折腾，但是可以肯定地说，NOR闪光灯至少可以使用shot弹枪。凭借其可编程能力，NOR闪存在许多应用中是EEPROM的后继产品，它在需要快速，非易失性存储器的应用领域（包括通信，工业和汽车应用）中找到了新的机遇。当然由于自动驾 阅读全文
posted @ 2020-08-27 14:22 宇芯电子 阅读(396) 评论(0) 推荐(0)
FRAM在智能电子式电表中的应用
摘要：本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。 非易失性存储器是一个电表的重要组成部分。该电表周期性地捕获电力消耗和环境数据，并且在分配的时间间隙内，将数据存储到非易失性存储器中， 阅读全文
posted @ 2020-08-26 16:08 宇芯电子 阅读(472) 评论(0) 推荐(0)
非易失性FRAM中的预充电操作
摘要：铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。 预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。 阅读全文
posted @ 2020-08-18 15:46 宇芯电子 阅读(395) 评论(0) 推荐(0)
Everspin MRAM优化系统能耗
摘要：与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电 阅读全文
posted @ 2020-08-17 11:41 宇芯电子 阅读(251) 评论(0) 推荐(0)
工业和消费者HMI系统中的扩展内存
摘要：一般而言，人机界面（HMI）是使人能够与机器，系统或设备连接的用户界面或仪表板。HMI由硬件和软件组成，这些硬件和软件允许将用户输入转换为机器的控制信号，进而向用户提供反馈。HMI技术已在几乎每个行业中使用，包括制造，消费电子，娱乐和医疗等。 工业HMI是工业操作员和生产线主管用来控制制造或工业过程 阅读全文
posted @ 2020-08-14 15:57 宇芯电子 阅读(487) 评论(0) 推荐(0)
STT结构涡轮增压MRAM
摘要：新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。 自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领 阅读全文
posted @ 2020-08-13 15:10 宇芯电子 阅读(525) 评论(0) 推荐(0)
将FRAM存储器芯片集成到汽车EDR设计中
摘要：本篇文章主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。 EDR要求：高速和高可靠性车辆EDR的基本功能要求是捕获所有指定的数据输入，从可见光和红外摄像头，雷达和LiDAR传感器等传感设备以及油门，制动踏板和方向盘等输入设备捕获。 阅读全文
posted @ 2020-08-12 16:46 宇芯电子 阅读(357) 评论(0) 推荐(0)
符合汽车安全和质量标准的CYPRESS FRAM
摘要：汽车设计人员在设计时必须考虑质量和安全性以及性能方面的考虑。汽车行业经验丰富的供应商通常会超出性能要求，赛普拉斯FRAM器件经过AEC-Q100认证，例如最高温度达到85°C或125°C-并且还拥有所有必要的认证，例如作为TS16949，支持PPAP流程，并与特定客户保持联合资格。 还必须符合ISO 阅读全文
posted @ 2020-08-11 11:51 宇芯电子 阅读(180) 评论(0) 推荐(0)
SRAM是什么存储器
摘要：静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在 阅读全文
posted @ 2020-08-10 17:00 宇芯电子 阅读(2514) 评论(0) 推荐(0)
网络通信与便携式应用驱动SRAM技术发展
摘要：数据通信和便携式系统成为当今SRAM的重要应用领域。某些SRAM由于能够提供实现较高带宽所需的性能(比如在网络系统中)或维持较长电池使用寿命所需的低功耗(比如在便携式设备中)而在许多应用中起着主导作用。这些架构指的是面向高性能应用的NoBL (无总线延迟)和QDR (四倍数据速率)以及针对低性能应用 阅读全文
posted @ 2020-08-07 14:31 宇芯电子 阅读(308) 评论(0) 推荐(0)
最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量
摘要：铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。 尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即 阅读全文
posted @ 2020-08-05 14:20 宇芯电子 阅读(347) 评论(0) 推荐(0)
什么是STT-MRAM？
摘要：随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力. 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（ 阅读全文
posted @ 2020-08-04 17:03 宇芯电子 阅读(867) 评论(0) 推荐(0)
为应用选择合适的同步高速SRAM
摘要：正确的同步静态随机存取存储器（SRAM）的选择对于带宽要求更高，系统性能更好的网络应用至关重要。系统设计人员需要了解不同同步SRAM技术的特性和优势，以便为其应用选择正确的存储器。 决定正确的同步SRAM选择的一些关键因素是密度，等待时间，速度，读/写比和功率。通过了解这些因素如何影响性能，可靠性和 阅读全文
posted @ 2020-08-03 14:14 宇芯电子 阅读(378) 评论(0) 推荐(0)