06 2020 档案

非易失性存储器MRAM的两大优点
摘要：新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独 阅读全文
posted @ 2020-06-30 16:09 宇芯电子 阅读(402) 评论(0) 推荐(0)
静态SDRAM和动态SDRAM的区别
摘要：SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比，可以有一个更复杂的操作模式。下面宇芯电子介绍关于静态SDRAM和动态SDRAM的 阅读全文
posted @ 2020-06-24 11:46 宇芯电子 阅读(523) 评论(0) 推荐(0)
使用SRAM如何节省芯片面积
摘要：SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实： （1）1R1W的SRAM面积要 阅读全文
posted @ 2020-06-22 11:49 宇芯电子 阅读(684) 评论(0) 推荐(0)
不同类别存储器基本原理
摘要：存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用 阅读全文
posted @ 2020-06-19 15:10 宇芯电子 阅读(1746) 评论(0) 推荐(1)
串口SRAM和并口SRAM的引脚区别
摘要：首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别： 串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图： 串口SRAM引脚 引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有 阅读全文
posted @ 2020-06-17 15:52 宇芯电子 阅读(1026) 评论(0) 推荐(0)
SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
摘要：SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。 为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤： 一、根 阅读全文
posted @ 2020-06-16 13:49 宇芯电子 阅读(825) 评论(0) 推荐(0)
2020年国内MCU市场有望突破500亿元
摘要：MCU是智能控制的主要核心，是目前物联网和汽车电子未来主要增长点。MCU微控制器作为智能控制的核心广泛应用于消费电子、汽车电子、计算机与网络、工业控制等领域，伴随物联网的逐步落地和汽车电子的发展，MCU微控制器的市场需求增长显著。 国内MCU微控制器市场未来五年复合增速达11.7%，至2020年市场 阅读全文
posted @ 2020-06-10 14:18 宇芯电子 阅读(417) 评论(0) 推荐(0)
MRAM可以替代NOR或SRAM
摘要：内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。 如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率， 阅读全文
posted @ 2020-06-09 15:02 宇芯电子 阅读(332) 评论(0) 推荐(0)
SRAM整体结构图
摘要：SRAM大多是由CMOS管组成的挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作，通过锁存器的原理对数据进行保存，在无操作状况下，锁存器处于稳态，保持数据稳定，不用进行周期性的电荷刷新。SRAM由基本单元构成的阵列以及外围电路构成，其中阵列的划分和外围电路 阅读全文
posted @ 2020-06-08 16:45 宇芯电子 阅读(3446) 评论(0) 推荐(0)
SRAM数据存储原理
摘要：静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元出的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积 阅读全文
posted @ 2020-06-05 15:36 宇芯电子 阅读(1579) 评论(0) 推荐(0)
低电压SRAM的重要性
摘要：随着SOC 技术的发展，CMOS 工艺尺寸不断缩小，芯片集成度越来越高，使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来，便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机、智能手环发展迅猛，而对于使用电池的便携式电子产品，芯片的功耗会直接影响到电池的使用时间、使用寿命，功耗逐渐成为大规模集成电路设计中最关心的问题 阅读全文
posted @ 2020-06-03 16:00 宇芯电子 阅读(501) 评论(0) 推荐(0)
Everspin MRAM技术的可靠性
摘要：与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。 Evers 阅读全文
posted @ 2020-06-02 16:01 宇芯电子 阅读(342) 评论(0) 推荐(0)
如何减小SRAM读写操作时的串扰
摘要：静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM 存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生。那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰，以及提高SRAM的可靠性呢，下面宇芯来简单介绍。 设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analog Environment的 阅读全文
posted @ 2020-06-01 15:39 宇芯电子 阅读(357) 评论(0) 推荐(0)
SRAM电路工作原理
摘要：近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储 阅读全文
posted @ 2020-06-01 15:37 宇芯电子 阅读(1718) 评论(0) 推荐(0)