09 2020 档案

Everspin MRAM替换FRAM
摘要：FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间， 阅读全文
posted @ 2020-09-29 16:24 宇芯电子 阅读(195) 评论(0) 推荐(0)
实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
摘要：写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率 进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。 实例1 阅读全文
posted @ 2020-09-28 14:01 宇芯电子 阅读(247) 评论(0) 推荐(0)
为高性能FPGA平台选择合适的存储器
摘要：从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM（SDRAM）和减少延迟的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展，约为48ns，这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM芯片的存储设备已被设计为以密度为代价提高tRC。例如RLD RAM3的RC为8n 阅读全文
posted @ 2020-09-27 16:34 宇芯电子 阅读(463) 评论(0) 推荐(0)
高耐久性Cypress FRAM电池管理应用
摘要：电池管理系统(BMS）是一个电子控制系统，它监控并控制着电动和混合动力汽车的电池系统。该单元的主要功能是保护每块电池免受损坏，延长它们的使用寿命，并为车辆提供实时电源分配。 BMS单独监控每块电池的操作参数。这些参数包括电池电压、电池电流（充电和损耗）以及电池温度。现代的锂离子电池具有较高的充电容量 阅读全文
posted @ 2020-09-25 14:08 宇芯电子 阅读(156) 评论(0) 推荐(0)
针对汽车市场的FRAM
摘要：这些年来，汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元（ECU）。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。 汽车电子子系统概述汽车电子子系统被划分为即独立又互相连接的子系统。每个子系统负责处理一项特定的任务，其范围和复杂程度可能不同，但 阅读全文
posted @ 2020-09-25 14:05 宇芯电子 阅读(223) 评论(0) 推荐(0)
高速性低功耗SRAM应用于物联网
摘要：在过去的几十年中，SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗，每个产品都有自己的功能，应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备，以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备，消费 阅读全文
posted @ 2020-09-23 14:44 宇芯电子 阅读(259) 评论(0) 推荐(0)
非易失性存储器MRAM技术介绍
摘要：MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁 阅读全文
posted @ 2020-09-21 14:06 宇芯电子 阅读(802) 评论(0) 推荐(0)
使用高速SPI Nor Flash的FPGA配置
摘要：NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NOR Flash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。点火时后视图像在仪表板上显示的速度是一阶设计挑战。 上电后的FPGA会立即加载已存储在NOR器件中的配置位 阅读全文
posted @ 2020-09-18 15:55 宇芯电子 阅读(779) 评论(0) 推荐(0)
基于SRAM的方法可加速AI推理
摘要：一种新颖的深度学习加速器。专用单元定义了一个SRAM，该单元可以处理矩阵乘法，量化，存储以及推理处理器所需的其他工作。 在Spice仿真中，当使用8位整数数学识别手写数字时，该设计可提供100兆次操作/秒/瓦（TOPS / W）。它的计算密度可以击败Google的TPU一个数量级。 该设计是使用内存 阅读全文
posted @ 2020-09-17 13:57 宇芯电子 阅读(244) 评论(0) 推荐(0)
SRAM中晶圆级芯片级封装的需求
摘要：在谈到可穿戴技术的未来时，清楚地表明了可穿戴技术创新的未来进程。响亮而明确的是，要想成功，可穿戴电子产品必须小而又要保持性能。 为了减少占用空间，从而减少整个电路板空间，微控制器每隔一代就都迁移到较小的过程节点。同时他们正在进化以执行更复杂，更强大的操作。随着操作变得更加复杂，迫切需要增加高速缓存。 阅读全文
posted @ 2020-09-16 16:03 宇芯电子 阅读(522) 评论(0) 推荐(0)
非易失性MRAM关键特性-MR2A16A
摘要：经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚。 这种设计具有系统灵活性并防止了总线争用。单独的字节使能引脚还提供了灵活的数据总线控制，其中数据可以以8位 阅读全文
posted @ 2020-09-15 13:47 宇芯电子 阅读(346) 评论(0) 推荐(0)
非易失性存储器平衡方法
摘要：非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂，在高级节点上的价格和速度，功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷，以决定该存储器的放置位置。 NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压，NVM的类型以及其中存储的 阅读全文
posted @ 2020-09-11 15:18 宇芯电子 阅读(244) 评论(0) 推荐(0)
非易失性NV-SRAM简介
摘要：尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统，但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。本文存储芯片供应商宇芯电子先带大家认识一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM简介在现代计算机系统 阅读全文
posted @ 2020-09-09 16:23 宇芯电子 阅读(493) 评论(0) 推荐(0)
EEPROM与内存Flash消耗能量计算
摘要：本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。 首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5 ms，写入电流为3 mA（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作 阅读全文
posted @ 2020-09-08 14:01 宇芯电子 阅读(713) 评论(0) 推荐(0)
MRAM与常用计算机内存的性能比较
摘要：新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。 1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及 阅读全文
posted @ 2020-09-07 16:16 宇芯电子 阅读(384) 评论(0) 推荐(0)
串行MRAM消耗的能量
摘要：MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。 SPI）总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这 阅读全文
posted @ 2020-09-04 14:16 宇芯电子 阅读(238) 评论(0) 推荐(0)
SRAM的基础模块存有三种情况
摘要：SRAM是随机存取存储器的一种。“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM功耗取决于它的访问频率。如果用高频率访问SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全带宽时功耗达到几个瓦特量级。另一方面，SRAM如果用于温 阅读全文
posted @ 2020-09-02 13:54 宇芯电子 阅读(464) 评论(0) 推荐(0)
从三个层面认识SRAM存储器
摘要：大家都了解，CPU是负责计算和处理的，而存储器则是负责互换数据信息的。有些人是那么形容的，说CPU便是技术工程师自己，运行内存就好像操作台，必须妥善处理的物品必须先取得工作中台子上才便捷解决。那么硬盘是什么呢？电脑硬盘如同木柜，储放电子元器件仪器设备用的库房，存物品。 存储器有两个基础的组成模块，充 阅读全文
posted @ 2020-09-01 15:21 宇芯电子 阅读(1460) 评论(0) 推荐(0)