《场效应管应用分析精粹》构思启动

Hello，大家好，《高速数字设计》校样审核已经告一段落，相应结果已经反馈到出版社（特意多审核了一遍，必须趁全彩出版打造出经典丫，不要打我~~），后续关于此书的消息应该是“封面设计”，敬请期待哈~~

言归正传，之前大部分空闲时间都在规划《电磁学新论》，虽然获得了一个大体框架，但还是觉得不太满意，所以决定先放一下，转而构思《场效应管应用分析精粹》（以下简称“场效应管”或“FET”），也就是执行所谓的“冷却法”。

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PS1：暂时放下《电磁学新论》的部分原因也是因为其潜在读者相对较少（这偶早就知道，相对于“高大上的顶层应用”来说，关注“枯燥的底层原理”的人总是会更少），但这并不意味着它没有价值，恰好相反，其价值可谓非凡。例如，拙作《电感应用分析精粹》使用形象直观的方式阐述“磁能转换条件”，可能有些人觉得不严谨，但是其从电磁学层面是有理论依据的（形象直观的阐述方式只是方便读者理解而已）。具体来说，“磁能转换条件”可以由一个“大多数电磁学图书都涉及但阐述很少的”概念来解释，只不过绝大多数人只是计算该概念相关的理论数据，却从来没有往磁能管理方面思考（至少敝人未见过）

PS2：偶决定撰写《场效应管》主要有2点：其一，该主题确实有很大的写作价值（之前也积累了足够多的素材）；其二，对该主题感兴趣的读者还真不少（从上次投票结果也可见一斑）。

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采用“冷却法”的好处是可以切换与清理思路。有句老话说得好：当局者迷，旁观者清。当你一直深入思考某个问题时，也许容易陷入某个细节而忽略其他更有意义的关键点，一旦跳出该思维方式与环境，问题的答案反而可能会更清晰一些（就像写文章一样，文章一写完可能觉得啥问题没有，持续一直看N遍也找不出毛病，因为你太熟悉了，但是如果过段时间再看，反而会发现很多新的修改点，所以我们也常说：好文章不是写出来的，而是改出来的）。

举个例子，年初就曾对《场效应管》大体构思了一下，框架当然是跟《三极管应用分析精粹》（基础篇）（以下简称“三极管”或“BJT”）相似，但是对某些章节是否保持一致却有些纠结。例如，《三极管》有一章专门详细讨论了“相量法与波德图”，它们也可以用来辅助阐述FET（是通用内容），如果将其完整保留在《场效应管》中，好处是能够保证图书内容表达的独立性或完整性（也就是说，即便没有阅读《三极管》也不会有影响），但缺点也很明显，重复了嘛（恐怕不会有人希望在两本书中看到完全相同的内容吧？！）。经过几个月（忙于其他事）后，我的想法就不一样了，答案很明确：不保留（即便保留，也会尽量简化（其他相似通用章节亦是如此）！

为什么呢？因为阅读《三极管》的读者可能是新手（或初学者），所以“对相量法与波德图的详细阐述”还是很有必要的。但是相对来说，对《场效应管》感兴趣的读者通常已经具备一定的基础（我想应该没有“只知道FET而不了解BJT的读者”吧？！事实上，绝大多数人对BJT的熟悉程度远大于FET），所以没有必要浪费宝贵的篇幅（好钢还是要用在刀刃上）。

也正因为如此，我也不打算如《三极管》那样在《场效应管》中详细介绍“电位与电压的区别”、“等效、偏置、耦合等基本概念”、“从双电源（基极与集电极供电电源）到单电源供电的电路图转换过程”、“交直流通路”等等（如果有必要提醒，偶会以“详情可参考《三极管》”这种形式出现）。

再例如，《三极管》中的所有电路都是仅由BJT（不涉及FET）构成的，之前也曾想过：《场效应管》是不是也坚持仅使用FET的电路呢？敝人现在也不纠结了：不排斥使用包含BJT的FET电路。以功率放大器来说，从实用的角度，纯BJT功率放大器是广泛存在的，但是纯FET功率放大器却并不多，因为两个元件的优缺点毕竟不同。当然，可能有些发烧友会坚持使用纯FET搭功放电路，但写作不是为了炫技，而应该注重足够的实用性，所以“盲目追求纯FET电路”实乃舍本逐末的做法。况且刚刚已经提过，对FET感兴趣的读者几乎不可能不了解BJT，加入一些BJT对读者不会产生阅读障碍（甚至还可以将《场效应管》当成《三极管》之后的进阶内容综合学习）。

从之前的初步构思来看，《场效应管》也分为《基础篇》与《高级篇》，前者约20万字，相应的基本架构与叙述方法与《三极管》是相似的。

顺便提一句：目前《三极管应用分析精粹》已经加印数次，销量已超过4000，这个数字相对小说而言肯定微不足道，但对于技术类专著却算是不错的成绩。这也就意味着，《三极管》的叙述方法与内容已经在出版后5年内得到读者的广泛认可，《场效应管应用分析精粹》自然会继续保持这种风格与质量。

 

有些人可能会想：既然《场效应管》与《三极管》的框架类似，那么应该轻松不少。

还真不是！一本书可以从多个方面进行刻画，既然框架方面可以少投入些精力，我就会把更多精力投入到其他方面（例如，更多贴切的案例，更多新的思路阐述等等）。总之，能量是守恒的，某方面投入功夫减少了，就把另一方面投入的功夫增加。

当然，框架方面“少投入”不等于“不投入”，因为FET与BJT毕竟是完全不同的器件，其特点或应用场景也不尽相同，所以在框架搭建时与BJT也有很大的区别（刚刚涉及的两个纠结点本质上也是“框架搭建宏观思路的体现”）。

举个例子，FET比BJT的分类要多得多，从写作层面来看，首先敝人要考虑：是“专门讨论一种FET（例如，MOSFET）”，还是JFET与MOSFEF都讲（包括高频领域中的一些特殊FET）。前者的写作路线当然相对简单一些，但既然是“应用分析精粹”，我还是想将JFET也包含进来，这就意味着，“如何更好地组织并阐述多种FET”也是一个挑战（是顺序探讨？还是齐头并进？亦或是两者兼顾？），因为我想写不一样的书，就像《三极管》一样。

再举个例子，《三极管》仅最后一章介绍BJT在开关状态下的应用，但FET在开关领域应用比较多（包括数字逻辑、开关电源、模拟开关等），所以开关应用方面篇幅是不是应该在《场效应管》适当增加呢？FET在高频电路中也应用很广泛，是不是应该提升相应的篇幅呢？

总之，敝人先对《场效应管》详细构思一下，具体内容的确定会根据字数进行适当调整，就这么说定了~~