Raw NAND FLASH原理及ONFI接口标准【转】

转自：https://blog.csdn.net/ScilogyHunter/article/details/105995767

一、NAND Flash类型
1.1 NAND Flash的两大分类

NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器，对于嵌入式开发而言，NAND主要分为两大类：Serial NAND、Raw NAND，这两类NAND的差异是很大的（软件驱动开发角度而言），即使你掌握其中一种，也不代表你能了解另一种。
1.2 Serial NAND与Raw NAND特点

Raw NAND是相对于Serial NAND而言的，Serial NAND即串行接口的NAND Flash，而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH。早期并行接口通信数据率是明显高于串行通信数据率的，但随着串行通信速度越来越快，并行接口速度优势显得不那么重要了，反而因信号线太多导致设计成本较高（PCB走线复杂）显得有点不合潮流。但其实这么说对Raw NAND是不公平的，现在的Serial NOR/NAND信号线其实也不少，比如高速的串行HyperFlash信号线数量已经直逼x8 bit的Raw NAND FLASH，所以Raw NAND市场还是坚挺的，你会发现各大存储厂商都还在不断推出Raw NAND FLASH产品。
1.3 Raw NAND细分类型

从软件驱动开发角度而言，Raw NAND可以从以下几个方面进一步细分：

    单元层数(bit/cell)：SLC（1bit/cell） / MLC（2bit/cell） / TLC（3bit/cell） /QLC（4bit/cell）
    数据线宽度：x8 / x16
    信号线模式：Asynchronous / Synchronous
    数据采集模式：SDR / DDR
    接口命令标准：非标 / ONFI

1.4 常见厂商及产品系列

Raw NAND厂商产品有两种，一种是裸Raw NAND芯片，另一种是含Raw NAND的存储方案（比如SSD硬盘，SD卡，eMMC等），对于嵌入式开发而言，我们更关心的是裸Raw NAND芯片产品，下面列出了常见SLC Raw NAND芯片的厂商及产品系列：
厂商    芯片系列    官方网址
Micron    MT29F    https://www.micron.com
Numonyx    NAND256, NAND512    https://www.micron.com
Macronix    MX30LF, MX60LF    http://www.macronix.com
Winbond    W29N    http://www.winbond.com.tw
Spansion    S34ML, S34MS, S34SL    http://www.cypress.com/
ISSI    IS34ML, IS34MW    http://www.issi.com
Toshiba    TC58B, TC58N    http://toshiba.semicon-storage.com
SK Hynix    H27U    http://www.hynix.com
Samsung    K9F, K9K    http://www.samsung.com/semiconductor/

二、ONFI标准由来

说一下Raw NAND发展史，其实早期的Raw NAND没有统一标准，虽然早在1989年Toshiba便发表了NAND Flash结构，但具体到Raw NAND芯片，各厂商都是自由设计，因此尺寸不统一、存储结构差异大、接口命令不通用等问题导致客户使用起来很难受。

为了改变这一现状，2006年几个主流的Raw NAND厂商（Hynix、Intel、Micron、Phison、Sony、ST）联合起来商量制订一个Raw NAND标准，这个标准叫 ONFI (Open NAND Flash Interface)。
　　
2006年12月ONFI 1.0标准正式推出，此标准一经推出大受欢迎（好像不欢迎也不行，那些大厂说了算啊），此后几乎所有的Raw NAND厂商都按照ONFI标准设计生产Raw NAND，从此Raw NAND世界清静了，不管哪家生产的Raw NAND对嵌入式设计者来说几乎都是一样的，至少在驱动代码层面是一样的。那么各厂商竞争优势在哪呢？主要在三个方面：数据存取速率、ECC能力、ONFI之外的个性化功能。

你可以从 ONFI官网 下载ONFI标准手册，从2006年推出1.0标准至今，ONFI标准已经发展到4.1，这也说明了Raw NAND技术在不断更新升级。
在这里插入图片描述

三、SLC Raw NAND原理
本文的主要研究对象是兼容ONFI 1.0标准的Asynchronous SDR SLC NAND Flash。
3.1 Raw NAND内存模型

ONFI规定了Raw NAND内存单元从大到小最多分为如下5层：Device、LUN(Die)、Plane、Block、Page（如下图所示），其中Page和Block是必有的，因为Page是读写的最小单元，Block是擦除的最小单元。而LUN和Plane则不是必有的（如没有，可认为LUN=1, Plane=1），一般在大容量Raw NAND（至少8Gb以上）上才会出现。
在这里插入图片描述

 
    根据以上5层分级的内存模型，Raw NAND地址也很自然地由如下图中多个部分组成:
    Raw NAND Address = LUN Addr + Block Addr + Page Addr + Byte Addr (Column Addr)

可能有朋友对Plane Address bit的位置有疑问，其实结合上面内存模型图就不难理解了，每个Plane里包含的Block并不是连续的，而是与其他Plane含有的Block是交错的。
在这里插入图片描述

 

 
3.2 Raw NAND信号与封装

ONFI规定了Raw NAND信号线与封装，如下是典型的x8 Raw NAND内部结构图，除了内存单元外，还有两大组成，分别是IO控制单元和逻辑控制单元，信号线主要挂在IO控制与逻辑单元，x8 Raw NAND主要有15根信号线（其中必须的是13根，WP#和R/B#可以不用），关于各信号线具体作用，请查阅相关文档。
在这里插入图片描述

 

 

ONFI规定的封装标准有很多，比如TSOP48、LGA52、BGA63/100/132/152/272/316，其中对于嵌入式开发而言，最常用的是如下图扁平封装的TSOP-48，这种封装常用于容量较小的Raw NAND（1/2/4/8/16/32Gb），1-32Gb容量对于嵌入式设计而言差不多够用，且TSOP-48封装易于PCB设计，因此得以流行。

3.3 Raw NAND接口命令

ONFI 1.0规定了Raw NAND接口命令，如下表所示，其中一部分是必须要支持的（M），还有一部分是可选支持的（O）。必须支持的命令里最常用的是Read(Read Page)、Page Program、Block Erase这三条，涵盖读写擦最基本的三种操作。

　　除了读写擦这三个最基本命令外，还有一个必有命令也非常常用，这个命令是Read Status，用于获取命令执行状态与结果，ONFI规定Raw NAND内部必须包含一个8bit的状态寄存器，这个状态寄存器用来存储NAND命令执行状态与结果，其中有两个bit（RDY-SR[6]和FAIL-SR[0]）需要特别关注，RDY用于指示命令执行状态（这个bit与外部R/B#信号线功能是一致的），FAIL用于返回命令执行结果（主要是有无ECC错误）。

 

 
此外，还有一个必有命令不得不提，这个命令是Read Parameter Page，用于获取芯片内部存储的出厂信息（包括内存结构、特性、时序、其他行为参数等），这个Parameter Page大小为256Bytes，其结构已由ONFI规定如下表，在设计NAND软件驱动时，可以通过获取这个Parameter Page来做到代码通用。

 

 
3.4 Raw NAND数据速率

前面讲了，数据存取速率这个技术指标是各厂商竞争力的体现，对于这个指标，其实ONFI标准定义了一部分，我们知道Raw NAND数据存取操作是以Page为单位的，Page操作时间决定了数据存取速率，Page操作时间由3部分组成：

 

以上三部分时间里，ONFI定义了Page命令/数据操作时间标准，但Page命令执行等待时间无法强制，因此各厂商NAND速度差异主要是这个Page命令执行等待时间不同造成的。

以异步模式Read Page命令（0x00 - 0x30）为例讲解，下图是Read Page完整时序简图，0x00是主机发送的第一个字节，用于通知NAND Device主机想要读取Page，随后的5个字节发送的是地址数据，用于通知NAND Device主机想要从什么地址获取数据，0x30是主机发送的最后一个字节，用于通知NAND Device读取Page命令发送已经完成，至此命令操作周期已经结束，NAND Device此时开始进行内部处理流程：拉低外部引脚R/B#或将内部寄存器SR[6]置0表明我正在忙，然后从内存块里将主机指定地址所在的Page数据全部拷贝到临时缓存区（Page Buffer），对这一整个Page数据进行ECC校验，如Page数据校验通过，拉高外部引脚R/B#或将内部寄存器SR[6]置1表明我已经准备好了，至此命令执行等待周期已经结束，主机开始按Byte依次将Page数据读出来，所有Page数据全部都被读出来后，整个Read Page时序就结束了。

 

 
下图是命令/地址操作具体时序，根据时序图我们可以粗略计算出tCmd：

    tCmd = (cmdBytes + addrBytes) x (tWP + tWH) = 7 * (tWP + tWH)

 

 
　

 

 
下图是数据读取操作具体时序，分为两种：Non-EDO模式（RE#上沿采样数据）和EDO模式（RE#下沿采样数据），从图中我们知道tRC是RE#信号的一个周期，通俗地说，Non-EDO模式一般用于低速模式（即tRC > 30ns时），而EDO模式一般用于高速模式（即tRC < 30ns时）。根据时序图我们可以粗略计算出tData：

    tData = dataBytesInOnePage * tRC

 

 

 

 
让我们把tCmd和tData代入tReadPage计算公式可得如下等式，我们知道其中tBusy是无法得知的，那么其他三个时间tWP、tWH、tRC到底是多少呢？

    tReadPage = 7 x (tWP + tWH) + tBusy + dataBytesInOnePage * tRC

继续查看ONFI手册可以找到答案，ONFI规定了六种timing mode（0-5），timing mode table里指明了所有时序相关的参数数值范围，当然也包括tWP、tWH、tRC，以最快的timing mode 5来计算：

    tReadPage = 7 x 20ns + tBusy + dataBytesInOnePage * 20ns = (dataBytesInOnePage + 7) x 20ns + tBusy

 

 

我们似乎离答案更近一步了，但tBusy是多少这个问题始终困扰着我们，想要知道Read Page的时间没有这么复杂，我们可以从任何一款Raw NAND数据手册的扉页Features里直接找到答案，如下是Micron生产的型号为MT29F4Gxx的feature信息：

 

 

从feature里我们可以知道tReadPage最小为25us（此数值应是在x16 bits，timing mode 5下得出的最快速度），那么可以反算出tBusy = 25us - 20ns * （1024 + 7） = 4.38us，知道了tBusy让我们计算一下x8 bits下的tReadPage = 20ns * （2048 + 7） + 4.38us = 45.48us，再计算x8 bits下的读取数据率 2048Bytes / 45.48us = 360.246Mbps，这个数据率对于普通嵌入式应用来说其实是够快的。
3.5 Raw NAND坏块与ECC

Raw NAND开发绕不开坏块（Bad Block）问题，这是NAND Flash区别于NOR Flash的一个重要特点。NAND技术上允许坏块的存在，这降低了NAND生产工艺要求，因此NAND单位容量价格比NOR低。

既然物理上的坏块无法避免，那有什么方法可以改善/解决坏块问题呢？方法当然是有的，这个方法就是ECC（Error Correcting Code），在这里你只需要知道ECC是一种错误检测与纠正算法，它通过对一定量的数据块（一般是256/512bytes）进行计算得到ECC码（一般8bytes），在Page Program时将原始Page数据与ECC码一同存入NAND Flash，在Read Page时同时获取Page数据与ECC码再进行一次计算，如果该Page数据没有ECC错误或者bit错误能够被ECC码纠正，那么Page读写操作就能够正常进行，如果bit错误个数太多不能够被纠正，那么该Page所在的块就应该被认定为一个坏块。
　　
ECC能力主要根据纠正单数据块中错误bit个数来区分的，最基本的ECC只能够纠正1bit错误，强一点的ECC可以纠正4或者8个甚至更多的错误bit。
　　
让我们用一款实际芯片来具体分析坏块与ECC，依旧以前面分析过的Micron生产的型号为MT29F4Gxx为例，下图是其内存结构图，从图中我们可以知道这款NAND的Page大小为2KB，但如果你仔细看，你会发现每个Page还额外含有64Bytes数据，这个64Bytes区域即所谓的Spare Area，这个区域到底是干嘛用的呢？

 

 

下图是Spare Area的mapping图，由于每个Page是2KB，而ECC计算块是512Bytes，因此Page区域被均分为4块，分别是Main 0、1、2、3，每块大小为512Bytes，而相应的Spare Area也被均分为4块，分别是Spare 0、1、2、3，每块大小为16bytes，与Main区域一一对应。每个Spare x由2bytes坏块信息、8bytes ECC码、6bytes用户数据组成。要特别说一下的是ECC区域，当芯片硬件ECC功能开启时，8bytes ECC码区域会被自动用来存储ECC信息，而如果芯片没有硬件ECC功能，这个区域可以用来手动地存放软件ECC值。

 

 
下图是芯片Error管理相关信息，也包含了ECC，从图中我们可以知道这款芯片ECC是4bits，坏块是用0x00来标识的，并且承诺该芯片出厂时每个Die里所含有的4096个block最多只会有80个坏块。这些信息除了在芯片手册里可以找到之外，前面介绍过的ONFI Parameter Page也同样记录了。

 

 
3.6 Raw NAND个性化功能

Raw NAND还有一些个性化的功能，这个是因厂商而异的，ONFI规定了两个可选的命令Get/Set Feature，个性化功能可以通过Get/Set Feature命令来扩展。下表是ONFI 1.0规定的Feature address范围，其中0x01是Timing Mode，0x80-0xFF用于各厂商实现自己的特色功能。

关于Timing Mode地址的具体定义如下，ONFI规定芯片上电初始为Timing mode 0，即最低速的模式，如果我们想要更快的NAND访问速度，必须使用Set feature命令将Timing mode设置到想要的数值。

继续以前面分析过的Micron生产的型号为MT29F4G08ABBxA为例，下图是该芯片的Feature定义，除了ONFI规定之外，还定义了自己的特色部分（0x80, 0x81, 0x90）。

比如0x90定义的Array operation mode，我们可以通过其实现OTP控制以及硬件ECC的开关。

 

————————————————
版权声明：本文为CSDN博主「ScilogyHunter」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/ScilogyHunter/article/details/105995767