关于CMOS工艺中各种电阻的温漂

吴金老师提问：电阻的温度特性，为何多晶高阻是负温度特性，而其它扩散结构的电阻为正温度特性？电阻的温度特性将对静态电流产生重要影响！
结合CG佬回答的一些思考：poly电阻经常用，但是很多同学其实并不懂其原理，那天做LDO的瑞同学发出疑问，库里面有poly电阻和poly_sab电阻，他想给运放用，希望精度高一些，做SR提升用，但是选择哪个呢？
这里的SAB和SUB看起来很像hhh，其实差别老大了，SAB=SAlicide-Block（硅化物），实质指的是在poly表面再生长一层薄金属，这样很明显电阻率自然就降低下去了，如果加上SAB层，那么salicide过程会被阻止，因此poly_sab的电阻会比poly的电阻阻值高，当然，按理说你要多用一层掩模。做基准的经验是poly_sab的话温漂还会比poly的好一些。
这是poly电阻的区分，我们再回到吴老师的问题上来。
1.为何poly电阻的温度系数都是负的呢？基本上我们将半导体的电导率可以用u和n的乘积来表示，暂时把poly电阻当成本征的呗，那么迁移率u的主要影响因素晶格振动散射（此时没有什么电离杂质散射）会因为温度增加而加剧，进而使平均自由程减小，u减小；但是另一方面，温度升高会使得ni大幅度提高，二者结合使得电导率随温度增加了，于是电阻呈现负温度系数。（具体公式早已忘记，只能大致描述过程了，从CG那里看到公式，一个是T^{-1.5，一个是T}1.5exp（-Eg/2kT），电导率乘积是（-Eg/2kT））
2.为何扩散电阻温度系数都是正的呢？如N-well电阻、P+扩散电阻等。关键点在于，此时n不起作用了，因为早已重掺，另一个，u中不仅有晶格振动散射， 还有电离杂质散射了，二者的作用相反，且强度变化相反，总体使得u成为负温，因此电阻呈现正温。