摘要：不同的mos管特点不一样，简单描述如下： 平面mos： 优点：EAS雪崩等参数比较大，很耐电流冲击。缺点是：结电容等非常大，开关损耗非常大。驱动电流比较大，不好驱动。 SGT工艺mos： 优点：Qg、Ciss等参数很小，开关损耗非常小，适合高频开关，特别是电流上来之后。驱动电压低，驱动电流小，非常好 阅读全文

摘要：https://www.elecfans.com/d/1309261.html 近期有同学询问，在制作无线充电接收线圈时，需要应用到哪些知识，注意到哪些问题？下面就线圈电感计算、导线选择以及整流方式等内容给大家做些介绍。 电感量的计算 接收线圈串联谐振电容可以有效提高接收电路输出功率。如果电容与接收 阅读全文

摘要：https://baijiahao.baidu.com/s?id=1809048563048631142&wfr=spider&for=pc 工信部放宽无线充电设备频率和功率限制，安卓厂商或加大无线充电功率，苹果则因Qi2.0标准频率与航空无线电导航业务冲突而调整。无线充电技术发展迅速，但仍需解决充 阅读全文

摘要：图解功率MOS管的每一个参数！ 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学 阅读全文

摘要：MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=（Tcmax-Tc）/Rth（ch-c） MOS的功耗是指MOS在电 阅读全文