随笔分类 -  MOS

MOS相关知识
搞懂MOS管的米勒效应
摘要：一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。 其中： 输入电容Ciss=Cgs+Cgd， 输出电容Coss=Cgd+Cds， 反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。 然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系， 阅读全文
posted @ 2025-04-01 15:47 Sean_hn 阅读(1622) 评论(0) 推荐(0)
不同的mos管特点
摘要：不同的mos管特点不一样，简单描述如下： 平面mos： 优点：EAS雪崩等参数比较大，很耐电流冲击。缺点是：结电容等非常大，开关损耗非常大。驱动电流比较大，不好驱动。 SGT工艺mos： 优点：Qg、Ciss等参数很小，开关损耗非常小，适合高频开关，特别是电流上来之后。驱动电压低，驱动电流小，非常好 阅读全文
posted @ 2025-02-22 13:59 Sean_hn 阅读(226) 评论(0) 推荐(0)
功率MOS管的参数说明
摘要：图解功率MOS管的每一个参数！ 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学 阅读全文
posted @ 2025-02-21 14:52 Sean_hn 阅读(338) 评论(0) 推荐(0)
MOS管耗散功率的计算
摘要：MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=（Tcmax-Tc）/Rth（ch-c） MOS的功耗是指MOS在电 阅读全文
posted @ 2025-02-21 14:51 Sean_hn
MOS管的寄生电容
摘要：我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？ 这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。 限制G极电流MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所 阅读全文
posted @ 2024-12-18 19:02 Sean_hn 阅读(2198) 评论(0) 推荐(0)
MOS管选型
摘要：MOS管基本参数 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）作为开关元件的应用非常广泛，其开关特性与三极管相比有所不同。MOSFET的主要工作原理是通过在栅极（Gate）上施加电压，控制源极（Source）与漏极（D 阅读全文
posted @ 2024-12-18 18:42 Sean_hn 阅读(431) 评论(0) 推荐(0)