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2021年7月2日
ASEMI大功率三相整流桥D30XT80的使用教程
摘要: 编辑-Z D30XT80参数描述 型号:D30XT80 封装:DXT-5 特性:大功率三相整流桥 电性参数:30A 800V 正向电流(Io):30A 正向电压(VF):1.1V 浪涌电流Ifsm:350A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:5 D30XT80适用范围
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posted @ 2021-07-02 14:40 强元芯
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2021年6月30日
ASEMI快恢复二极管RS1M为什么能降低开关电源的噪声
摘要: 编辑-Z 型号:RS1M 封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.3V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-40~+150℃ 恢复时间(Trr):150
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posted @ 2021-06-30 16:36 强元芯
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FR107-ASEMI快恢复二极管FR107
摘要: 编辑-Z FR107在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、插件快恢复二极管。FR107的浪涌电流Ifsm为25A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FR107采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。FR107的电性参数是:正向电流(Io
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posted @ 2021-06-30 16:34 强元芯
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2021年6月29日
1N4007-ASEMI整流二极管1N4007
摘要: 编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是:正向电流(Io
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posted @ 2021-06-29 16:52 强元芯
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2021年6月28日
MBR20100CT-ASEMI肖特基二极管应用领域
摘要: 编辑-Z 尽管肖特基二极管已经上市数十年,但新的发展和产品不断增强其特性并扩大应用的可能性。除了太阳能电池板和汽车,它们现在还用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电池充电器。但是,MBR20100CT肖特基二极管应用领域有哪些呢? MBR20100CT肖特基二极管主要用于以下两个领域: 1、整流,在
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posted @ 2021-06-28 16:45 强元芯
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2021年6月26日
MB6S-ASEMI整流桥MB6S
摘要: 编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐
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posted @ 2021-06-26 17:17 强元芯
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2021年6月25日
KBP310-ASEMI整流扁桥KBP310
摘要: 编辑-Z KBP310在KBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是60MIL,是一款整流扁桥。KBP310的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBP310采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBP310的电性参数是:正向电流(Io)为3
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posted @ 2021-06-25 17:28 强元芯
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2021年6月24日
DB107-ASEMI整流桥DB107
摘要: 编辑-Z DB107在DB-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥。DB107的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB107采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。DB107的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压
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posted @ 2021-06-24 17:12 强元芯
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2021年6月23日
ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J
摘要: 编辑-Z ES1J在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片超快恢复二极管。ES1J的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ES1J采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。ES1J的电性参数是:正向电流(Io)为1A,
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posted @ 2021-06-23 16:58 强元芯
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2021年6月22日
US1G-ASEMI高效恢复二极管US1G
摘要: 编辑-Z US1G在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1G的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1G采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1G的电性参数是:正向电流(Io)为1A,
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posted @ 2021-06-22 17:09 强元芯
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