强元芯

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），是一种低功率、超高速的半导体器件。肖特基二极管SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短，正向压降仅为0.4V左右。那么ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC正负极如何判断？ 安装时ASEMI肖特基二极管SBT30100VD 阅读全文

摘要： 编辑-Z MUR6060PT在TO-247AD封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超快恢复二极管。MUR6060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR6060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR60 阅读全文

摘要： 编辑-Z SF806A在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款超快恢复二极管。SF806A的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF806A的电性参数是：正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFF1004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。SFF1004的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1004采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1004的电性参 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管MBR10100FCT广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。在不同的应用中，需要考虑不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差别，因此，ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT关键参数及选型要点，下面这些关键参数需要综合考虑。 1、导通压降VF VF为二极管正向导通时 阅读全文

摘要： 编辑-Z RS507在RS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款整流扁桥。RS507的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS507采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS507的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反 阅读全文

摘要： 编辑-Z RS807在KBU-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款整流扁桥。RS807的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS807采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS807的电性参数是：正向电流(Io 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBU810在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄扁桥。GBU810的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU810采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU810的电性参数是：正向电流(Io)为 阅读全文

摘要： 编辑-Z 二极管整流桥GBU610的作用 许多工程设计电源选择使用二极管来构建整流电路，这种方法的优点是成本相对较低，但也有缺点，比如电路设计结构复杂，分立元件增加了工艺难度，增加了人工成本。因此，整流桥逐渐被使用成为主流。所以第一次选择整流桥GBU610时，一定要了解整流桥的功能和设计原理。其实整 阅读全文

摘要： 编辑-Z 关于ASEMI整流桥GBU1010的检测，如何用万用表检测整流桥GBU1010好坏，整流桥分为半桥和全桥，以下是常用万用表检测整流桥全桥GBU1010的方法。 GBU1010参数描述 型号：GBU1010 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：10A 1000V 芯片材质：GPP 正 阅读全文