06 2022 档案
摘要：编辑-Z 由六个整流二极管组成的电路称为三相整流桥电路。提到三相整流桥的出现，是因为功率的增加和要求的提高。 在了解ASEMI三相整流桥的工作原理之前，首先要知道三相整流桥是如何组成的。如下图所示，三相整流桥接6个整流二极管，二极管的特性：正极电位高于负极，则二极管导通；当正极电位低于负极时，二极管
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摘要：编辑-Z 场效应晶体管又称场效应管，简称FET，大功率场效应管是一种半导体放大器件。场效应管不仅具有晶体管体积小、省电、耐用等优点。具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、安全工作区宽等优点。下面是ASEMI大功率场效应管和三极管的区别。 大功率场效应管与三极管的比较 大功率场效应管
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摘要：编辑-Z 开关电源由高频磁芯、高频电容、高背压大功率晶体管、功率整流二极管和控制电路等主要元件组成。其中整流二极管是关键部件，由于其功耗最大，约占功耗的30%，因此要求整流二极管在高速度和大电流下具有正向压降小、开关时间短的特点。那么ASEMI肖特基二极管和超快恢复二极管在开关电源中的对比哪个比较好
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摘要：编辑-Z ASEMI超快恢复二极管ES1J参数： 型号：ES1J 峰值重复反向电压（VRRM）：600V RMS反向电压（VRMS）：420V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.7V 最大瞬时反向电流（IR）：5uA 最大反向恢复时
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管RS1M、US1M和US1G能相互代换吗？这要从它们的封装和参数两方面进行考虑，我们先看看RS1M、US1M和US1G的各项参数对比： RS1M参数描述 型号：RS1M 封装：SMA 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR107参数： 型号：FR107 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 最大有效值电压（VRMS）：700V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.2V 最大瞬时反向电流（IR）：5uA 最大反向恢
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摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5819参数： 型号：1N5819 峰值重复反向电压（VRRM）：40V 最大有效值电压（VRMS）：28V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：25A 最大瞬时正向电压（VF）：0.6V 最大瞬时反向电流（IR）：1mA 典型结电容（
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摘要：编辑-Z ASEMI整流二极管1N4007参数： 型号：1N4007 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 工作结温和存储温度（eTJ, Tstg）：-55~ +150℃ 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 典型结电
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摘要：编辑-Z M7二极管参数和实物： 型号：M7二极管 封装：SMA 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大有效值电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流电流（IF）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 1.0A时的最大瞬时正向电压（VF）
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摘要：编辑-Z 高频开关整流器一般是先将交流电通过二极管直接整流滤波成直流电，再通过开关电源转换成高频交流电。通过高频变压器变压隔离后，由快恢复二极管SFF1004高频整流、电感电容滤波后输出。那么MHCHXM超快恢复二极管SFF1004在开关电源中的意义是什么呢？ SFF1004参数描述 型号：SFF1
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摘要：编辑-Z MHCHXM超快恢复二极管SFF1604参数： 型号：SFF1604 峰值重复反向电压（VRRM）：400V 平均整流正向电流（IF）：16A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：100A 工作结温和存储温度（eTJ, Tstg）：-40~ +175℃ 最大热阻，结到外壳（RθJC）：2.0℃
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摘要：编辑-Z MHCHXM超快恢复二极管SFF1602参数： 型号：SFF1602 峰值重复反向电压（VRRM）：200V 平均整流正向电流（IF）：16A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：100A 工作结温和存储温度（eTJ, Tstg）：-40~ +175℃ 最大热阻，结到外壳（RθJC）：3.0℃
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摘要：编辑-Z SF1004在TO-220AB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款超快恢复二极管。SF1004的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。SF1004采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF1004的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。因此，60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起，或装在金属箔内，使G极和S极等电位，以防止静电荷的积累
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摘要：编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.
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摘要：编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数： 型号：90N10 漏源电压（VDSS）：100V 连续漏极电流（ID）：90A 栅源电压（VGSS）：±20V 功耗（PD）：125W 漏源漏电流（IDSS）：100uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8
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摘要：编辑-Z 根据其应用方式，MOS管25N120的主要作用是： 1、做放大管； 2、做高速管； 3、做电流镜管； 4、做开关。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 集电极电流（IC）：25A 栅极-发射极电压（VGES）：±20V
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摘要：编辑-Z ASEMI的MOS管24N50参数： 型号：24N50 漏源电压（VDSS）：500V 连续漏极电流（ID）：24A 栅源电压（VGSS）：±30V 功耗（PD）：290W 漏源漏电流（IDSS）：50uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24
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摘要：编辑-Z 20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。
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摘要：编辑-Z ASEMI场效应管12N65参数： 型号：12N65 漏源电压（VDSS）：650V 连续漏极电流（ID）：12A 栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V 功耗（PD）：140W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：
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摘要：编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数： 型号：9N90 漏源电压（VDSS）：900V 栅源电压（VGSS）：±30V 连续漏极电流（ID）：9.0A 脉冲漏极电流（IDM）：36A 功耗（PD）：49W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻
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摘要：编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。
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摘要：编辑-Z 7N60极限参数： （1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额； （2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额； （3）PDSM，最大耗散功率，是指7N6
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摘要：编辑-Z 7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBP307能代替ABS210吗？整流桥能否代替使用主要依据参数和封装两方面，首先我们来看看KBP307和ABS210的具体参数，从型号的命名上也可以看出主要参数。 KBP307，307表示额定电流3A，反向电压是1000V。（7代表1000伏是以前台湾的命名规则） KBP
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摘要：编辑-Z DB107参数描述 型号：DB107 封装：DB-4 特性：插件整流桥 电性参数：1A 1000V 正向电流(Io)：1A 正向电压(VF)：1.05V 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流Ifsm：50A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ DB107S参数描述 型号：DB
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摘要：编辑-Z 整流桥是应用最广泛的一种电子元件，也是电路设计中最基本的整流器件。由于这种广泛性和基本性，在设计整流桥时，虽然参数封装的种类很多，但它们的结构大致相同。只要掌握了KBP210一种类型整流桥的接线方法，基本上就能知道市面上现有整流桥的接线方法！下面是ASEMI四脚整流桥KBP210实物图。
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摘要：编辑-Z 圆桥系列不同于贴片桥堆。最明显的区别是四个引脚的长度不相等，这也是区分圆桥桥堆正负极的一个极其关键的部分。仔细看2W10圆桥堆，你会发现会有一个引脚比其他三个长，这个长的引脚是正极，另一个与其相对的引脚是负极。另外两个引脚也是输入端，属于交流端，不分正负极，下面是ASEMI整流桥2W10中
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摘要：编辑-Z 贴片整流桥MB6S那是鼎鼎大名，相信很多电子工程师即使没用过也听说过，因为它的应用实在是太广泛了，各种小功率充电器，电源都离不开它的身影，但是作为大哥的MB10S为何却没怎么听说过呢？ASEMI整流桥MBS家族的小弟MB6S为何比大哥MB10S还出名？首先我们来看一下它们的参数差异。 MB
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