2021年5月24日
芯片边界效应STI、LOD与WPE
摘要： LOD的概念LOD是 Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0.5um和2um，但由 阅读全文
posted @ 2021-05-24 18:19 free_zhang 阅读(7409) 评论(0) 推荐(0)