会员
众包
新闻
博问
闪存
赞助商
HarmonyOS
Chat2DB
所有博客
当前博客
我的博客
我的园子
账号设置
会员中心
简洁模式
...
退出登录
注册
登录
oneyac唯样
记录、分享相关技术方案及内容
博客园
首页
新随笔
联系
订阅
管理
06 2025 档案
碳化硅何以英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相
摘要:在碳化硅(SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(Rsp)”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章,本文将继续为您揭开这些误区的真相
阅读全文
posted @
2025-06-13 15:35
oneyac唯样
阅读(97)
评论(2)
推荐(1)
碳化硅何以英飞凌?—— 沟槽栅技术可靠性真相
摘要:全社会都在积极推动低碳化转型,而低碳化的背后其实是电气化。在新型电气能源架构中,相比于从前,一次能源到终端用户的能源转换次数增多。。。
阅读全文
posted @
2025-06-05 16:05
oneyac唯样
阅读(52)
评论(1)
推荐(0)
公告