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2023年10月25日
(512M位)W25Q512JVFIM、W25Q512JVBIQ、W25Q512JVFIQ、W25Q512JVEIQ串行闪存提供更高的灵活性和性能
摘要: W25Q512JV(512M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。
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posted @ 2023-10-25 16:22 mingjiada
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2023年10月23日
动态随机存取内存W631GG6NB15I、W631GG6NB-15、W631GG6NB-12、W631GG6NB12I 1Gb DDR3 SDRAM
摘要: W631GG6NB是1G位DDR3 SDRAM,组织为8,388,608字,8个存储体,16位,适用于各种应用。
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posted @ 2023-10-23 17:08 mingjiada
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2023年10月20日
推出业界最快(NOR)MX66L1G45GXDI-08G、MX66L1G45GMI-08G、MX66LM1G45GXDI00串行闪存器件
摘要: MxSMIO™双工系列不仅提供单I/O,还提供具有双传输速率(DTR)模式操作的四I/O接口,可提供高达400MHz的快速数据传输速率,使其成为业界最快的串行闪存。
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posted @ 2023-10-20 17:01 mingjiada
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2023年10月18日
RX66T优化用于电机控制R5F566TFFGFP、R5F566TKGGFP、R5F566TKCGFP搭载第三代RXv3 CPU内核的32位MCU
摘要: RX66T系列是基于第三代RXv3 CPU内核的旗舰32位RX MCU,主频高达160MHz。
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posted @ 2023-10-18 16:26 mingjiada
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2023年10月17日
搭载RXv2内核、R5F51405ADFL、R5F51405AGFM、R5F51405ADFM配备新一代电容触摸IP的32位微控制器
摘要: RX140产品是RX100系列中处理性能最强、功耗最低的微控制器。可以广泛应用于家用电器、工业控制和楼宇自动化等领域。
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posted @ 2023-10-17 16:16 mingjiada
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2023年10月14日
【原】电源集成INN3676C-H606-TL、INN3678C-H605-TL、INN3679C-H606-TL反激式电源转换器IC
摘要: 1、简介 InnoSwitch™3-EP系列IC极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造,尤其是那些需要高效率和/或紧凑尺寸的产品。InnoSwitch3-EP系列将初级和次级控制器以及安全额定反馈集成到单个IC中。’ InnoSwitch3-EP系列器件集成了多种保护功能,包括线路过压和欠压保护、
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posted @ 2023-10-14 17:24 mingjiada
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2023年10月11日
基于四核ARM Cortex-A7内核,RV1126、RV1109、RV1103、RV1106新一代人工智能视觉芯片
摘要: 基于四核ARM Cortex-A7内核,RV1126、RV1109、RV1103、RV1106新一代人工智能视觉芯片
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posted @ 2023-10-11 17:46 mingjiada
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2023年10月7日
iPhone15Pro拆解曝光,SN201027/338S00616/STCPM1A3/STB605A11/SMR546/SDR735深入了解其内部结构和技术组件
摘要: iPhone15Pro拆解曝光,电池容量3274mAh,A17Pro芯片没有标识
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posted @ 2023-10-07 16:36 mingjiada
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2023年9月25日
【原】S27KL0642DPBHV023、S27KL0642DPBHV020、S27KL0642DPBHA020、S27KL0642DPBHI020伪静态随机存储器(PSRAM)
摘要: S27KL0642DPBHV023、S27KL0642DPBHV020、S27KL0642DPBHA020、S27KL0642DPBHI020伪静态随机存储器(PSRAM) HyperRAM™ 是具备HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。
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posted @ 2023-09-25 17:10 mingjiada
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2023年9月20日
具有高速开关、RGW80TS65EHRC11、RGW80TS65HRC11、RGW60TS65CHRC11 650V场终止沟槽型IGBT
摘要: RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。
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posted @ 2023-09-20 16:36 mingjiada
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