随笔分类 - 电子元器件
摘要:RTL8715A 单芯片适合小型安全 Wi-Fi 网络摄像机和 电池供电的相机应用。
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摘要:英飞凌推出碳化硅MOSFET(650V)IMW65R107M1HXKSA1(1700V)IMBF170R1K0M1。
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摘要:LCMXO2-2000HC-4FTG256C器件用于低成本、大容量的消费者和系统中的应用程序。
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摘要:英飞凌1200V双IGBT模块提供简单可靠的组装方式,具有高互连可靠性。
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摘要:FF08MR12W1MA1B11 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET模块,具有较高的效率和系统灵活性。
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摘要:FF900R12ME7PB11BPSA1 IGBT模块提供简单可靠的组装方式,具有高互连可靠性。
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摘要:LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET具有集成驱动器和保护功能。
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摘要:NV6123,这颗芯片是NV6113的散热增强版,为高频率和软开关拓扑优化。
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摘要:IMBG65R039M1H 旨在提高系统性能,缩减尺寸,增强可靠性。
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摘要:IMZA120R014M1H 采用TO247-4封装的1200V CoolSiCTM 碳化硅MOSFET。
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摘要:IGI60F1414A1L CoolGaN 600V半桥集成功率级 (IPS) 模块适合用于中低功率应用(30W至500W)。
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摘要:FF800R12KE7HPSA1 1200V IGBT AG-62MM 底座安装
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摘要:RTL8721DM高集成低功耗单芯片非常适合 IoT(物联网)应用。
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摘要:XC6SLX25T-2CSG324C是 Spartan®-6 LXT FPGA系列芯片。
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摘要:TPS63700DRCR DC/DC 转换器是便携式电池供电设备的理想选择。
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摘要:SXR2130P虚拟现实处理器,专为机器视觉平台而设计。
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摘要:MTFC32GAPALBH-IT 通信和海量数据存储设备。
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摘要:MAX98390CEWX 具有集成动态扬声器管理的升压 D 类放大器。
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摘要:STM32L412RBT6和STM32L412CBU6 32位 MCU+FPU 是超低功耗微控制器。
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摘要:EN5337QI一款带有集成电感的电压模式同步降压 PWM DC-DC 转换器。
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