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posted @ 2015-10-21 16:32 L_free 阅读(55) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2015-10-21 16:12 L_free 阅读(25) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2015-10-21 10:57 L_free 阅读(87) 评论(0) 推荐(0)
摘要: ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个... 阅读全文
posted @ 2015-10-20 18:09 L_free 阅读(3516) 评论(0) 推荐(1)
摘要: 概述Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0... 阅读全文
posted @ 2015-10-20 14:15 L_free 阅读(1597) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一、数据手册相关内容1.地址传输周期2.命令表3.在寄存器中,会涉及TACLS,TWRPH0,TWRPH1的设定这里我们就去看nandflash的数据手册在这里我们可以清楚的看到,TACLS=TCLS-TWP,TWRPH0=TWP,TWRPH1=TCLH,从下表可以查到时间,并根据主频转换成CPU周... 阅读全文
posted @ 2015-10-19 15:21 L_free 阅读(457) 评论(0) 推荐(0)
摘要: K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash,常用于手持设备等消费电子产品。还是那句话,搞底层就得会看datasheet,我们就从它的datasheet看起。 这就是 K9F2G08U0A的内部结构,具体的各个部件的介绍,就不详细介绍了,想了解的话可以参考伟东山的《嵌入式... 阅读全文
posted @ 2015-10-19 15:10 L_free 阅读(312) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 下面是网上看到的一些关于内存和CPU方面的一些很不错的文章. 整理如下:转: CPU的等待有多久?原文标题:What Your Computer Does While You Wait原文地址:http://duartes.org/gustavo/blog/[注:本人水平有限,只好挑一些国外高手的精... 阅读全文
posted @ 2015-10-16 18:31 L_free 阅读(567) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一、SDRAM(HY57V561620F)连线分析1、S3C2440有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设。2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,... 阅读全文
posted @ 2015-10-16 16:15 L_free 阅读(747) 评论(0) 推荐(0)
摘要: SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)也就是通常所说的内存。内存的工作原理、控制时序、及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习、开发过程中的一个难点。我们从其硬件的角度来分析其原理,然后再引出SDRAM的驱动编写过程。内存... 阅读全文
posted @ 2015-10-16 16:13 L_free 阅读(380) 评论(0) 推荐(0)
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