摘要: 华大电子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5嵌入式闪存 5. 嵌入式闪存(FLASH) 5.1. 模块介绍 华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模块,该模块控制 FLASH 的擦除、编程以及读取数据。上电时会从 FLASH 中读取相关数据进行校验以及初始化配置,保证芯片程序在正确且安全的情况下运行 阅读全文
posted @ 2022-11-08 08:58 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(179) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 4. 系统及存储器架构 华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 器件是基于 ARM Cortex M0 处理器的 32 位通用微控制器存储器芯片。采用了哈佛结构,具有低中断延迟时间和低成本调试特性,而且高集成度和增强的特性使这颗处理器 适合于那些需要高性能和低功耗微控制器的市 阅读全文
posted @ 2022-10-14 09:06 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(166) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 华大电子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5特点和简介 1. 华大电子MCU产品特性 • 内核与系统 – 32 位 ARM® CortexTM-M0 处理器内核 – 工作频率可达 48MHz – 32 个指令周期 32 位硬件乘法器 – 32 个中断源,可配置 4 层中断优先级 – 支持 SWD 调试接口 – 支持位带 • 存储器 – 64K/32K 字 阅读全文
posted @ 2022-10-14 09:03 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(300) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 微盟电子MEQ6310系列 低压差低噪声电压调节器 微盟电子MEQ6310概述 微盟产品MEQ6310从2.6v到6v的输入电压,可提供150mA负载电流。低压差、低静态电流和低噪声使其使用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在加负载时略有增加,延长电池寿命、电源抑制比在低频时优于60dB。在10khz时下降到50dB 阅读全文
posted @ 2022-09-23 13:11 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(75) 评论(0) 推荐(0)
摘要: WS8100是一款符合BLE 5.0 规范的高性能低功耗蓝牙SOC芯片。片上集成了Balun,无需阻抗匹配网络,无需外挂晶振负载电容,无需外部32KHz晶振,最大限度地节省BOM成本。片上集成了高效率DC-DC降压转换器以实现超低功耗,适合用于高性价比可穿戴、物联网、遥控器、透传、POS、Homek 阅读全文
posted @ 2022-08-29 11:45 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(101) 评论(0) 推荐(0)
摘要: WS8100_01是一款基于WS8100芯片进行设计的蓝牙模组。具有功耗低,速率高,传输距离远,操作简便等特点。 模块性能: 微控制器 32位高性能RISC核心 16MHz/32MHz时钟 512KB/1MB Flash 40KB缓存静态RAM(SRAM) 2引脚cJTAG和JTAG调试 支持无线升 阅读全文
posted @ 2022-08-29 11:44 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(176) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 突破时钟精度的技术瓶颈 内部时钟的精度一直是较难突破的技术瓶颈,国产MCU大都能做到常温±1%,但全电压、全温度条件下则只能达到±3~4%,极少数厂家可以接近±2%。这主要是内部时钟精度比较容易受到电压,尤其是温度的影响。在对时钟精度比较有要求的应用场合,国产MCU通常需要额外配置板上晶体,使用晶体 阅读全文
posted @ 2022-08-12 14:41 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(87) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 澎湃微产品PT32F030产品介绍: PT32F030xx 是基于 Cortex-M0 内核的一款 32 位高性能 MCU,支持工作电压 2.2~5.5v, 工作温度为 -40~+105 度。内部集成了 1 个 16 通道 12 位 1M 采样率的高性能 SARADC,2 路 UART,2 路 SP 阅读全文
posted @ 2022-08-12 14:40 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(123) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 澎湃微产品PT32F030产品介绍: PT32F030xx 是基于 Cortex-M0 内核的一款 32 位高性能 MCU,支持工作电压 2.2~5.5v, 工作温度为 -40~+105 度。内部集成了 1 个 16 通道 12 位 1M 采样率的高性能 SARADC,2 路 UART,2 路 SP 阅读全文
posted @ 2022-08-11 09:48 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(143) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 突破时钟精度的技术瓶颈 内部时钟的精度一直是较难突破的技术瓶颈,国产MCU大都能做到常温±1%,但全电压、全温度条件下则只能达到±3~4%,极少数厂家可以接近±2%。这主要是内部时钟精度比较容易受到电压,尤其是温度的影响。在对时钟精度比较有要求的应用场合,国产MCU通常需要额外配置板上晶体,使用晶体 阅读全文
posted @ 2022-08-11 09:47 沈阳芯硕科技有限公司 阅读(76) 评论(0) 推荐(0)