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2025年5月15日
小波分析LER和LWR的可能
摘要: 半导体加工的LER/LWR 物理上归因于光刻工艺工程中的随机效应,随机效应的原因和过程中会产生在曝光,PEB,development 等多个过程。基于各个物理过程的随机模型可以进行严格的仿真profile。 LER、LWR 的实际测量也会引入噪声,这个测量的CD-SEM如何和去除噪声和实际仿真相对应
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posted @ 2025-05-15 10:34 丁洪贞
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