摘要： 1. 集电区：面积大； 2. 晶体管的放大原理 1）放大的条件：发射结正偏，uBE>Uon;集电结反偏，uCB>=0,即uCE>=uBE. 2)因发射区多子浓度高，使大量电子从发射区扩散到基区；因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合；因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩撒到 基区的电子漂移到集电区。 3）电流分配：IE=IB+IC IE--扩散运动形成的电流... 阅读全文

摘要： 1. 二极管的伏安特性及电流方程。 1）正向电压需要达到一定值的时候导通，一方面二极管的2个电极有接触电阻，必有压降；另一方面，PN结平衡（未导通时）是其多 数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动达到动态平衡。使得二极管导通的电压叫做二极管的开启电压。反向特性，反向饱和 电流。外加反向电压时，电场逐渐增强，二极管内部参与漂移运动的少数载流子的数目增加。但是，少数载流子数目有限，当电压 达到一定值... 阅读全文

摘要： §1半导体基础知识 1）本征半导体 2）杂质半导体 3）PN结的形成及其单向导电性 4）PN结的电容效应 1. 本征半导体，特点。1）纯净；2）晶体结构，稳定。 空穴和自由电子成对出现。在一定温度下，自由电子和空穴的浓度是一样的。动态平衡。 载流子，外加一个电场时，自由电子动，空穴也会动。方向相反。即价电子运动。外部看到的电流，是2种运动形成的。 2. n型半导体，p型半导体。因导电... 阅读全文