摘要：tDQSS - DQS latching rising transitions to associated clock edges, as described on Table 41/42 of JESD79-2E As described in above image, tDQSS = DQS_r 阅读全文

摘要：以下描述来自wikipeida : https://en.wikipedia.org/wiki/Synchronous_dynamic_random-access_memory 几点总结： (1) 每当操作需要切换row时，即需要precharge； (2) 为了与spec的描述一致，可以认为pre 阅读全文

摘要：http://www.tweakers.fr/timings.html -Cas# Latency (tCL).Number of clocks that elapses between the memory controller tellingthe memory module to access 阅读全文

摘要：http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/file/product/tWR-0.pdf tWR: write recovery time. 从写数据被送到数据总线，到数据稳定被写入存储单元的时间。 tWR不满足会造成数据写丢失。 下面是 阅读全文

摘要： 阅读全文

摘要：1，NOP nCS=0，nRAS/nCAS/WE=1 2，LM/MR 3，Active 4，Read AL把Delay加在tRCD之前 5，Write 6，precharge 7，refresh 必须的，CKE=1，需要Clock 类似于CBR Refresh （CAS#-before-RAS#）R 阅读全文

摘要：DDR读数据有效之前，有一段时间DQS（DQS#）需为低（高），此段时间即为read preamble，tRPRE。 同理，读数据结束之前，某段时间为read postamble，tRPST。 阅读全文