摘要:
1.反相器延迟:由于电路引入的一种特殊元件导致---电容的存在 半导体产业的一大部分以及后续课程和设计都致力于如何减小延迟2.MOS管中的电容 栅极加正电压时, 氧化物层两侧聚集电荷,一方面形成导电沟道,一方面形成了电容 模型:在栅源间加电容 CGS3.电容 集总规定:任意时刻元件内部dq/dt为零 但如果把电容两个极板包块在元件边界内,任意时刻净电荷都为零,因此它是满足LMD的 q = CV ,微分得到 I= CdV/dt (不考虑时变电容) E= 1/2 CV2 电容可以储存电荷4. RC电路:节点分析法得到: RC (dVc/dt) + Vc = VI, RC 称作时间常数 再加初始电压 阅读全文
posted @ 2014-03-18 12:48
清淮云山
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