摘要： 1.MOSFET模型a. S-R模型： 1） 当VGS小于阈值时，源漏之间看做开路 2）当VGS大于等于阈值时，短路，或者看做是电阻 当VGS 在阈值两侧切换，漏源间电路会表现为： 开路--电阻---开路---电阻........b. 但实际上，MOSFET非常复杂，实验中观察漏源间电流。可以看到： 在a 2)情形下：如果VDS 继续增加，会发现Ids 恒定，不再增加，达到饱和 第二种模型 SCS模型: 开关电流源模型 但VDS在超过某点后，IDS饱和，表现为电流源: 当VDS>VGS-VT此时 iDS= （k/2）(VGS-VT)2 （饱和方程）。iDS是由VGS确定的，不管VDS再加 阅读全文