2012年3月28日

SDRAM小结

摘要: 一、读写操作: (一)块使能 相应的块和行地址一定要通过ACT激活,在ACT命令和下一个读写命令必须有tRCD间隔。 (二)读操作 读命令设置之后,输出缓冲器变成了low_Z。SDRAM能执行组读出操作。 组长度可以设为1,2,4和8.开始的组读出地址由列地址和块地址在读命令设置时说明。数据在延迟CAS后输出。 在数据成功读出后,输出缓冲器变成high_Z. CAS延迟和组... 阅读全文

posted @ 2012-03-28 21:06 宕夏 阅读(4471) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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