摘要: 引脚解析: G:gate 栅极,N沟道的电源一般接在D。 S:source 源极,输出S,P沟道的电源一般接在S。 D:drain 漏极,输出D。增强耗尽接法基本一样。 mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(ins 阅读全文
posted @ 2021-02-27 20:38 BI8EJM 阅读(5953) 评论(0) 推荐(0)