ASEMI首芯

2021年12月13日

摘要：编辑：ll KBL406-ASEMI高端电源适配器KBL406 型号：KBL406 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 电流：4A 电压：600V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 浪涌电流：120A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：84MIL 漏电流：10UA 特性：整流扁桥工作阅读全文

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GBJ406-ASEMI适配器的良心选择GBJ406

摘要：编辑：ll GBJ406-ASEMI适配器的良心选择GBJ406 型号：GBJ406 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 正向电流：4A 反向耐压：600V 正向电压：1.1V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：84MIL 漏电流：5ua 浪涌电流：150A 芯片材质：GPP 封装尺寸：如图特阅读全文

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2021年12月11日

KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410

摘要：编辑：ll KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410 型号：KBL410 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 电流：4A 电压：1000V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：72MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥工作温度：-55~+15 阅读全文

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BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管

摘要：编辑：ll BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：TO-220 反向耐压：30V 引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅IGBT管储存温度：-40℃~+150℃ 概述可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结阅读全文

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2021年12月10日

AO3401-ASEMI低功耗mos管

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低功耗mos管型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 电流：4.2A 电压：30V 恢复时间：正向电压：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：漏电流：特性：低功耗场效应管工作温度：-55~+150℃ MOS场效应管即金属-氧化物-半阅读全文

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AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400

摘要：编辑：ll AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 电性参数5.8A 30V 正向电流：5.8A 反向耐压：30V 恢复时间：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：场效应管浪涌电流：工作温度：-55℃ 阅读全文

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2021年12月9日

40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V

摘要：编辑：ll 40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V 型号：40N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：40A 电压：1200V 恢复时间：正向电压：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管工作温度：-55~+150℃ MOS 阅读全文

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25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

摘要：编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：场效应管浪涌电流：工作温度：-5 阅读全文

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2021年12月8日

7N80-ASEMI低功耗场效应管7A 800V

摘要：编辑：ll 7N80-ASEMI低功耗场效应管7A 800V 型号：7N80 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：7A 电压：800V 恢复时间：正向电压：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管工作温度：-55~+150℃ MOS场效应管即金属阅读全文

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7N60-ASEMI低功耗mos管7N60

摘要：编辑：ll 7N60-ASEMI低功耗mos管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数7A 600V 正向电流：7A 反向耐压：600V 恢复时间：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：场效应管浪涌电流：工作温度：-55℃~+150℃ 场阅读全文

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