上一页 1 ··· 105 106 107 108 109 110 111 112 113 ··· 121 下一页
摘要: 编辑:ll GBU808-ASEMI桥堆超薄占比空间小 型号:GBU808 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 电流:8A 电压:800V 恢复时间:500ns 正向电压:1.10V 浪涌电流:200A 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:96MIL 漏电流:5UA 特性:整流扁桥 工作温度:-5 阅读全文
posted @ 2021-12-14 10:32 ASEMI首芯 阅读(67) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll KBU808-ASEMI桥堆本体散热效果好 型号:KBU808 品牌:ASEMI 封装:KBU-4 正向电流:8A 反向耐压:800V 正向电压:1.1V 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:95MIL 漏电流:5ua 浪涌电流:200A 芯片材质:GPP 封装尺寸:如图 特性:整流扁 阅读全文
posted @ 2021-12-14 10:18 ASEMI首芯 阅读(105) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll KBL406-ASEMI高端电源适配器KBL406 型号:KBL406 品牌:ASEMI 封装:KBL-4 电流:4A 电压:600V 恢复时间:500ns 正向电压:1.10V 浪涌电流:120A 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:84MIL 漏电流:10UA 特性:整流扁桥 工作 阅读全文
posted @ 2021-12-13 14:23 ASEMI首芯 阅读(129) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll GBJ406-ASEMI适配器的良心选择GBJ406 型号:GBJ406 品牌:ASEMI 封装:GBJ-4 正向电流:4A 反向耐压:600V 正向电压:1.1V 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:84MIL 漏电流:5ua 浪涌电流:150A 芯片材质:GPP 封装尺寸:如图 特 阅读全文
posted @ 2021-12-13 14:08 ASEMI首芯 阅读(51) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410 型号:KBL410 品牌:ASEMI 封装:KBL-4 电流:4A 电压:1000V 恢复时间:500ns 正向电压:1.10V 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:72MIL 漏电流:5UA 特性:整流扁桥 工作温度:-55~+15 阅读全文
posted @ 2021-12-11 10:45 ASEMI首芯 阅读(85) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管 型号:AO3400 品牌:ASEMI 封装:TO-220 反向耐压:30V 引脚数量:3 封装尺寸:如图 特性:双向可控硅IGBT管 储存温度:-40℃~+150℃ 概述 可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结 阅读全文
posted @ 2021-12-11 10:24 ASEMI首芯 阅读(470) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll AO3401-ASEMI低功耗mos管 型号:AO3401 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 电流:4.2A 电压:30V 恢复时间: 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流: 特性:低功耗场效应管 工作温度:-55~+150℃ MOS场效应管 即金属-氧化物-半 阅读全文
posted @ 2021-12-10 11:40 ASEMI首芯 阅读(850) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400 型号:AO3400 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 电性参数5.8A 30V 正向电流:5.8A 反向耐压:30V 恢复时间: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:场效应管 浪涌电流: 工作温度:-55℃ 阅读全文
posted @ 2021-12-10 11:13 ASEMI首芯 阅读(1354) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V 型号:40N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 电流:40A 电压:1200V 恢复时间: 正向电压: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 漏电流:10uA 特性:低功耗场效应管 工作温度:-55~+150℃ MOS 阅读全文
posted @ 2021-12-09 11:33 ASEMI首芯 阅读(754) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流:25A 反向耐压:1200V 恢复时间: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:场效应管 浪涌电流: 工作温度:-5 阅读全文
posted @ 2021-12-09 10:51 ASEMI首芯 阅读(328) 评论(0) 推荐(0)
上一页 1 ··· 105 106 107 108 109 110 111 112 113 ··· 121 下一页