摘要:
编辑:ll ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT 型号:FGH60N60SFD 品牌:ON/安森美 封装:TO-247 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:mΩ 引脚数量:3 特性:IGBT二极管 芯片个数: 沟道类型: 漏电 阅读全文
posted @ 2023-02-18 10:50
ASEMI首芯
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编辑:ll ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE 型号:ASE4N65SE 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:2.5Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间: 阅读全文
posted @ 2023-02-18 10:23
ASEMI首芯
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