2023年2月15日
ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50
摘要： 编辑：ll ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50 型号：ASE28N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：28A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.2Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N 阅读全文
posted @ 2023-02-15 14:12 ASEMI首芯 阅读(77) 评论(0) 推荐(0)
18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20
摘要： 编辑：ll 18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20 型号：18N20 品牌：ASEMI 封装：ITO-252 最大漏源电流：18A 漏源击穿电压：200V RDS（ON）Max：0.18Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 阅读全文
posted @ 2023-02-15 13:57 ASEMI首芯 阅读(123) 评论(0) 推荐(0)