摘要：
编辑：ll FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60 型号：FGH60N60 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：IGBT管 正向电流：60A 反向耐压：600V 恢复时间：<5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：110MIL 浪涌电流：200A 漏电流：10ua 阅读全文
posted @ 2023-02-13 14:05
ASEMI首芯
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编辑：ll 20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65 型号：20N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 阅读全文
posted @ 2023-02-13 11:31
ASEMI首芯
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