2022年11月7日
ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管
摘要： 编辑：ll ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管 型号：IXYB82N120C3H1 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-264 最大漏源电流：82A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管 芯片个数： 沟道类型： 漏电流： 阅读全文
posted @ 2022-11-07 11:34 ASEMI首芯 阅读(207) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理DSA300I100NA艾赛斯硅肖特基二极管
摘要： 编辑：ll ASEMI代理DSA300I100NA艾赛斯硅肖特基二极管 型号：DSA300I100NA 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：SOT-227B 最大漏源电流：300A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：Ω 引脚数量：3 沟道类型： 芯片尺寸：MIL 漏电流： 特性：硅肖特基二极管 阅读全文
posted @ 2022-11-07 10:56 ASEMI首芯 阅读(116) 评论(0) 推荐(0)