摘要: 编辑:ll ASEMI代理IXTY02N50D-TRL艾赛斯车规级MOS管 型号:IXTY02N50D-TRL 品牌:ASEMI 封装:TO-252 最大漏源电流:200mA 漏源击穿电压:500V RDS(ON)Max:0.099Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道 阅读全文
posted @ 2022-11-04 10:39 ASEMI首芯 阅读(162) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管 型号:LSIC1MO120E0080 品牌:LITTELFUSE/力特 封装:TO-247 最大漏源电流:25A 漏源击穿电压:1200V RDS(ON)Max:0.135Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸 阅读全文
posted @ 2022-11-04 10:18 ASEMI首芯 阅读(154) 评论(0) 推荐(0)