摘要:
编辑:ll ASEMI代理IXTY02N50D-TRL艾赛斯车规级MOS管 型号:IXTY02N50D-TRL 品牌:ASEMI 封装:TO-252 最大漏源电流:200mA 漏源击穿电压:500V RDS(ON)Max:0.099Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道 阅读全文
posted @ 2022-11-04 10:39
ASEMI首芯
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编辑:ll ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管 型号:LSIC1MO120E0080 品牌:LITTELFUSE/力特 封装:TO-247 最大漏源电流:25A 漏源击穿电压:1200V RDS(ON)Max:0.135Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸 阅读全文
posted @ 2022-11-04 10:18
ASEMI首芯
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