摘要: 编辑:ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号:7N65 品牌:ASEMI 封装:TO-22AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:1.35Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-5 阅读全文
posted @ 2022-06-18 11:27 ASEMI首芯 阅读(224) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号:7N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:1.2Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 阅读全文
posted @ 2022-06-18 11:17 ASEMI首芯 阅读(225) 评论(0) 推荐(0)