摘要：
编辑：LL MP40N120B-ASEMI沟槽栅场截止型IGBT 型号：MP40N120B 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：20A 反向电压：300V 正向电压：0.94V~1.30V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：120MIL 漏电流：20uA 特性：快 阅读全文
posted @ 2022-04-29 13:56
ASEMI首芯
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编辑：LL ASE35P03-ASEMI中压大电流MOS管ASE35P03 型号：ASE35P03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 正向电流：10A 反向耐压：600V 恢复时间：35ns 浪涌电流：150A 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：95MIL 漏电流：10uA 芯片材质： 封装 阅读全文
posted @ 2022-04-29 13:48
ASEMI首芯
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